美智库：中国半导体光刻技术进展滞后 | 联合早报

（华盛顿彭博电）美国智库研究显示，中国在推动半导体光刻技术发展方面仍面临严峻挑战，成为在中美贸易战中争取技术自主与竞争优势的主要障碍之一。

据彭博社报道，华盛顿独立智库乔治城大学安全与新兴技术中心（CSET）星期一（7月14日）公布报告指出，中国光刻设备主要供应商上海微电子装备公司，目前在旧一代光刻机市场的占有率仅为4%。

报告指出，尽管中国企业“在晶片制造设备方面已取得显著进展”，并在部分细分领域追平日本，但在先进光刻技术上，上海微电子仍远远落后于荷兰巨头阿斯麦控股（ASML）和日本尼康公司（Nikon）。

研究人员指出，这凸显出光刻技术仍是制约中国高科技产业发展的关键瓶颈。

受美国长期出口限制影响，阿斯麦从未向中国出口其最先进的极紫外（EUV）光刻系统。中国科技巨头华为在2023年推出一款国产七纳米晶片，曾令美国政界大为震惊，该晶片由中芯国际协助量产。然而，由于缺乏先进光刻设备，这一进展随后陷入停滞。

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