最大镓晶圆最低成本？中国如何引领下一代半导体技术 | 南华早报

中国研究人员宣布在下一代半导体技术领域取得重大突破，成功研制出全球最大的8英寸（20.3厘米）氮极性氮化镓（GaN）晶圆。这项被视为半导体行业颠覆性创新的晶圆技术，有望将生产成本降低40%，从而加速该技术在卫星通信和电动汽车（EV）领域的全球应用进程。氮化镓被誉为第三代化合物半导体的旗舰材料。凭借其卓越的物理特性，它正在彻底改变包括5G/6G网络、卫星通信、自动驾驶汽车和雷达系统在内的高频高功率应用领域。该材料已实现手掌大小的100W快充设备，将800V电动汽车平台的能量转换损耗降至5%以下，并使卫星通信带宽提升三倍。行业分析师预测，一旦量产技术达到临界点，氮化镓可能引发这些领域的结构性变革。

氮化镓潜力的核心在于其晶体极性。虽然氮极性（N极性）和镓极性（Ga极性）氮化镓同时存在，但N极性变体展现出更优异的性能。然而严苛的生长条件和复杂工艺，目前全球仅能小批量生产2至4英寸的N极性氮化镓晶圆成本曾令人望而却步——直到现在。3月22日，湖北省武汉市的JFS实验室研究团队宣布全球首次在硅衬底上成功制备8英寸氮极性绝缘体上氮化镓（GaNOI）晶圆。这项突破打破了国外技术垄断，使晶圆成本降低40%，同时将器件击穿电压提升至2000伏。02:14

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