《换道超车》：中国宣布突破无硅最快芯片技术 | 南华早报

北京大学研究团队宣称突破芯片性能极限，证实中国可通过全新材料在半导体竞赛中实现"换道超车"，彻底绕开硅基技术壁垒。

由物理化学教授彭海琳带领的团队表示，其自主研发的二维晶体管运算速度比英特尔与台积电最先进的3纳米硅芯片快40%，能耗降低10%。北大官网上周发布的声明称：“这是迄今为止速度最快、能效最高的晶体管。”

彭海琳在声明中表示：“如果说基于现有材料的芯片创新是’走捷径’，那么我们研发的二维材料晶体管就如同’换赛道’。”

他补充道：“虽然当前制裁迫使我们必须选择这条路径，但也促使研究者从全新视角寻找解决方案。”

据彭海琳团队介绍，在相同工作条件下，其铋基晶体管性能超越了英特尔、台积电、三星及比利时校际微电子中心的最先进同类设备。