中国顶级存储芯片制造商长江存储缩小与行业领先者三星、海力士、美光的技术差距 | 南华早报

中国领先的动态随机存取存储器(DRAM)芯片制造商长鑫存储(CXMT)已将其制造技术推进至16纳米，缩小了与行业巨头三星电子、SK海力士和美光科技的差距。根据加拿大集成电路研究机构TechInsights的报告，这家总部位于合肥的公司利用先进制程节点开发出消费级芯片，在美国持续制裁下取得显著突破。新型16Gb芯片采用DDR5技术，该技术预计将在2027年前主导DRAM市场。

报告显示，这款面积约67平方毫米的芯片实现了每平方毫米0.239Gb的存储密度。长鑫最新的G4 DRAM技术使其存储单元比前代G3技术节点减小了20%。

自23纳米的G1代和18纳米的G2代技术节点以来，长鑫已取得"重大进展"，大幅拉近了与韩国和美国竞争对手的距离。

TechInsights在光威DDR5-6000 UDIMM内存条中发现的长鑫16Gb DDR5芯片。图片来源：TechInsights

该公司的技术进步成为中国在DRAM存储芯片领域突破美国制裁取得进展的重要标志。