中国顶尖存储芯片制造商长江存储再获设计突破，突破美国制裁 | 南华早报
Che Pan
据TechInsights报告显示，中国领先的闪存芯片制造商长江存储科技（YMTC）在美国制裁背景下仍取得重大技术突破，这正值中国政府推动科技自主之际。
加拿大集成电路研究机构TechInsights最新报告指出，YMTC已在其最高密度的3D NAND芯片中应用了新型Xtacking4.0存储芯片设计，该技术被发现应用于致钛TiPro9000商用固态存储设备。
该芯片采用双层结构——下层150层存储单元与上层144层存储单元，合计达294层。其创新在于使用混合键合技术将两片晶圆接合。
继去年发布160层Xtacking4.0产品后，行业观察家预计该公司会将此架构应用于更高层数产品。
新设计超越了前代180层的技术复杂度，通过优化内部布局实现了存储密度的重大突破，达到每平方毫米20千兆比特的业界首创容量。TechInsights估算该设计包含约270层有效存储层。
报告撰写人、TechInsights高级分析师Jeongdong Choe表示：“关键是中国YMTC实现了技术突围。通过Xtacking4.0新技术，YMTC似乎找到了突破当前禁令的新路径。”
长江存储生产的64层3D NAND闪存晶圆。照片来源：ymtc.com