中国获奖的EUV技术突破如何绕过美国芯片禁令 | 南华早报

中国科学家正在开创极紫外光刻（EUV）技术研发的新路径，为先进半导体芯片的大规模生产铺平道路，以应对美国严格制裁的挑战。其中，哈尔滨工业大学的某项目在12月30日举办的全省高校科研院所职工创新成果转化大赛中荣获一等奖。

该研究团队采用了与西方技术完全不同的方法产生极紫外激光。

据该校官网介绍，由航天学院赵永鹏教授主导的"放电等离子体极紫外光刻光源"项目具有"能量转换效率高、成本低、体积小、技术难度相对较低"的优势。

官方报告称：“该项目可产生中心波长为13.5纳米的极紫外光，满足光刻市场对EUV光源的迫切需求。”

在半导体行业中，光刻机是最复杂且最难制造的设备。