美光科技将美国投资扩大至2000亿美元 | 路透社

档案照片。这张2023年10月9日的插图中可见一面俄罗斯国旗与股市走势图及一个石油开采抽油机微缩模型。路透社/Dado Ruvic/插图 购买授权 许可, 打开新标签页6月12日（路透社） - 内存芯片制造商美光科技 (MU.O), 打开新标签页 周四表示将把在美国的投资扩大至约2000亿美元，其中1500亿美元用于制造业务。此举正值特朗普总统施压要求将供应链转移回美国之际。美光称此举标志着追加300亿美元投资，导致其盘前交易股价下跌约1%。

广告 · 继续滚动美光如今加入了一系列美国科技公司和芯片制造商的行列，这些企业在特朗普推动本土化半导体生产的背景下，已宣布了数千亿美元的国内投资计划。

人工智能芯片领军企业及美光客户英伟达(NVDA.O)，新开页卡于四月表示，计划在未来四年内借助台积电(2330.TW)等合作伙伴，在美国建设价值高达5000亿美元的人工智能服务器。美光的追加投资将重点用于在爱达荷州博伊西建设第二家尖端内存工厂，并扩建弗吉尼亚州马纳萨斯的制造设施。

广告·继续滚动该公司表示：“这些投资旨在使美光能够满足预期市场需求，保持市场份额，并支持其在美国生产40%动态随机存取存储器（DRAM）的目标。“DRAM是一种广泛使用的内存芯片。

据美光称，此项投资将为美国带来先进封装能力，这是人工智能市场广泛应用的高带宽内存（HBM）的关键制造技术。HBM通常被描述为一种堆叠式DRAM技术。

英伟达首席执行官黄仁勋在声明中表示：“在特朗普政府支持下，美光对美国先进内存制造及HBM能力的投资，是人工智能生态系统的重要进步。”

美光表示还将投入约500亿美元用于研发。

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