印度批准HCL与富士康合资半导体企业 | 路透社

2016年3月29日，台湾新北市，鸿海精密工业股份有限公司（以富士康为商号）总部大楼顶层的企业标识。路透社/Tyrone Siu/资料图片新德里5月14日电（路透社）——印度信息技术部长阿什维尼·瓦什瑙周三表示，内阁已批准由HCL科技公司(HCLT.NS)（新开页面）与台湾富士康(2317.TW)（新开页面）合资建设价值370.6亿卢比（4.35亿美元）的新半导体工厂。瓦什瑙在新德里的内阁简报会上称，该厂选址北方邦杰瓦尔机场附近，设计月产能为2万片晶圆，可生产3600万颗显示驱动芯片。

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他补充说，这是印度半导体计划下获批的第六家工厂，将于2027年投入商业生产。

印度总理纳伦德拉·莫迪将芯片制造列为国家经济战略的重中之重，旨在提升印度在全球电子制造业的地位，但目前该国尚无实际运营的芯片制造设施。

本月早些时候，路透社曾报道印度亿万富翁高塔姆·阿达尼集团暂停相关磋商与以色列的Tower Semiconductor合作(TSEM.TA)，打开新标签页的100亿美元芯片项目因内部审查发现商业需求存在不确定性而取消。马哈拉施特拉邦政府最初于9月宣布批准Adani-Tower合资企业，该项目预计每月生产8万片晶圆并创造5000个就业岗位。2023年，富士康与印度巨头Vedanta提出的195亿美元合资计划因印度政府对项目成本上升和激励措施审批延迟的担忧而失败。尽管遭遇挫折，其他芯片项目仍在推进中，包括塔塔集团110亿美元的芯片制造与测试设施以及美国美光公司27亿美元的芯片封装厂。（1美元=85.2500印度卢比）

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