消息称三星加速1c DRAM工艺量产LPDDR6内存 计划下半年供货高通

【环球网科技综合报道】6月7日消息，据外媒报道，三星电子设备解决方案（DS）部门副董事长全永铉宣布，三星将于今年下半年通过第六代“1c DRAM”工艺量产下一代LPDDR6内存，并计划向高通等科技巨头供货。

外媒报道称，中国长鑫存储科技股份有限公司（CXMT）已完成LPDDR5X内存的开发阶段，正积极尝试缩小与三星之间的技术差距。业内观察人士推测，按照目前的速度，这家中国制造商最早可能在2026年就实现全面量产。三星因此不甘落后，加快了自主研发LPDDR6内存技术的步伐。

据悉，1c DRAM是DRAM制造的第六代工艺节点，相比前代技术，其晶体管密度更高、能效比更优。三星通过“设计变更”战略，将1c DRAM的冷态良率提升至50%，热态良率达60%-70%，并计划在韩国华城工厂建设新生产线，扩大产能。LPDDR6内存基于1c工艺开发，带宽和功耗表现显著提升，可满足AI模型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求。

据行业消息，高通下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存，并计划于今年9月23日的骁龙峰会上亮相。

随着AI应用向终端设备下沉，LPDDR6内存的带宽与能效成为关键竞争力。三星计划通过向高通等厂商供货，进一步渗透智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场，强化其技术壁垒。此外，三星还在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术，构建覆盖AI全场景的内存解决方案。

目前，三星已制定1c DRAM扩产计划，预计最早于今年年底完成韩国华城工厂生产线建设。此外，该公司正同步开发DDR与LPDDR用1c DRAM，打破传统开发顺序，加速商业化进程。（青山）