SK海力士HBM4测试良率突破70%，量产进入倒计时

【环球网科技综合报道】2月27日消息，据韩媒ETNews报道，SK海力士第六代12层堆叠高带宽内存（HBM4）的测试良率已成功突破70%，标志着该产品已具备量产的坚实基础，并在激烈的市场竞争中占据有利位置。

据悉，SK海力士的12层堆叠HBM4在2024年年底的良率已达到60%，而此次最新消息显示，其测试良率已进一步提升至70%，展现了SK海力士在半导体技术研发和生产方面的强劲实力。

SK海力士HBM4的进展迅速，得益于其第五代10nm级DRAM（1b）的成功应用。该技术在性能和稳定性方面已经过充分验证，并成功应用于SK海力士的HBM3e产品中。鉴于HBM3E曾实现80%的高目标良率，并大幅缩短了50%的量产时间，业内人士普遍预测，HBM4的12层堆叠产品也将迅速进入量产阶段。

目前，SK海力士已完成HBM4的内部技术开发和评估工作，即将提供样品供客户进行性能测试。一旦测试通过，SK海力士将立即启动量产计划，以满足市场对高性能内存产品的迫切需求。

值得一提的是，12层堆叠HBM4有望被部署在英伟达下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中。此前有消息称，英伟达计划提前至2025年下半年量产“Grace Hopper”系列，这将进一步促使SK海力士加快提升HBM4的良率和量产进程，以确保产品能够按时交付并满足英伟达等客户的需求。（纯钧）