宏微科技与华虹宏力深化合作 共促功率半导体国产升级

近日，江苏宏微科技（688711.SH）与上海华虹宏力半导体制造有限公司签署了为期五年的《战略合作谅解备忘录》，明确在IGBT、FRD等核心功率半导体产品领域深化合作。此次合作升级，有助于进一步夯实我国功率半导体产业链的自主可控能力，推动国内制造水平提升，增强产业竞争力。

作为国内功率半导体行业的领军企业，宏微科技长期致力于IGBT、FRD等功率芯片的研发和产业化，在新能源汽车、工业控制、新能源发电等领域积累了丰富经验。华虹宏力作为国内晶圆代工龙头企业，近年来不断推进12英寸晶圆产线升级，为产业链整体制造水平的提升注入了强劲动力。

据悉，12英寸晶圆的规模化生产目前已成为半导体行业技术发展的重要方向。相关数据显示，2023年至2027年，中国大陆12英寸晶圆产能的年复合增长率（CAGR）预计达19.6%，全球先进制程产能市场份额将从2023年的31%提升至2027年的39%。这一趋势将进一步提升国内功率半导体企业的制造能力，优化供应链结构，增强产业链自主可控水平。

作为华虹宏力1700V IGBT平台及RC IGBT平台的首批合作伙伴，宏微科技率先引入H注入工艺并实现量产，并成为首批采用1.6pitch工艺制造12英寸晶圆的企业，成功实现批量出货。随着12英寸晶圆平台的逐步成熟，宏微科技预计将持续推进高端功率半导体制造领域工艺优化，进一步巩固其产品竞争优势。

未来，宏微科技与华虹宏力将秉持协同创新、联合攻关的理念，共同成立联合研发项目组，专注于新工艺平台的开发和优化，开展更高性能、更高可靠性的功率半导体产品研发，携手推进功率半导体产业链的自主可控和国产化升级。