下一个晶圆需求的拐点在哪里？_风闻

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自semiengineering

晶圆厂运营本身的需求模式已经发生了根本性的变化。

半导体行业正面临前所未有的悖论：人工智能需求蓬勃发展，晶圆厂投资不断增加，但晶圆出货量却依然停滞不前。是什么导致了这种脱节？这种脱节何时才能打破？

截至 2025 年中，全球硅片市场表面看似平静，潜在的结构性紧张局势却在悄然加剧。人工智能半导体的需求依然坚挺，某些高价值供应链仍在接近满负荷运转。然而，硅片出货量几乎没有出现任何明显复苏的迹象 —— 这种背离引发了人们对传统供需格局的质疑。

SEMI 最新的《硅晶圆市场监测报告》首先提出了一个结构性假设：当前的市场动态不能仅仅用需求疲软或订单延迟来解释。相反，晶圆厂运营本身的需求模式已经发生了根本性的变化。

隐藏的限制：时间延长

一个关键指标—— 晶圆厂周期时间（即晶圆完成其整个工艺流程的平均时间）已成为结构性瓶颈。定量分析显示，自 2020 年以来，晶圆厂周期时间的复合年增长率为 14.8%。这意味着晶圆厂产能出现根本性减速，即便设备数量和利用率保持不变，可加工的晶圆数量如今也受到结构性限制。

之所以出现这种情况，是因为工艺复杂性不断提升、设备密度不断增加以及质量控制要求日益严格，这导致每片晶圆的成本不断上升，同时生产速度反而降低。自 2020 年以来，每片晶圆面积的设备支出飙升了 150% 以上，但这笔投资带来的是更长的加工时间，而非更高的产量。

HBM的经济门槛

与此同时，在 HBM 快速崛起的推动下，市场正接近新的拐点。HBM 晶圆每比特占用的晶圆面积是标准 DRAM 的三倍以上，潜在的晶圆需求巨大。不过，HBM 目前仅占内存总收入的 16%，仍低于关键的经济门槛。

分析表明，当 HBM 达到内存总收入的 25% 时，交易比率将上升至 1.5。这是结构性盈亏平衡点，此时 HBM 专用生产线的每片晶圆的资本支出与标准 DRAM 的经济性相一致。达到这一门槛后，内存制造商将获得明显的激励来扩大晶圆投入，客户也更愿意支付溢价。

量化框架

分析没有依赖传统的预测方法，而是使用定量模拟框架，对 HBM 渗透率、DRAM 比特率增长、晶圆厂利用率和周期时间这四个关键变量之间的相互作用进行建模。在当前条件下（HBM 收入份额 16%、年比特率增长 15%、晶圆厂利用率 95% 和周期时间增长 14.8%），晶圆投入量需要每年增加 23.9% 才能满足预测的需求。

然而，目前没有一家晶圆厂能够将晶圆投入量扩大到如此规模。这表明市场并非受需求制约，而是在一个条件响应的体系中运行—— 在关键阈值达到一致之前，该体系不会启动。

超越经济：技术和运营准备

HBM 扩张步伐缓慢的原因不仅仅是投资时机的问题。技术限制，包括良率低、客户认证延迟以及工艺稳定性挑战，也起着关键作用。这些先决条件 —— 投资准备、良率优化和认证完成 —— 尚未协调一致，导致尽管潜在需求强劲，市场仍处于战略潜伏期。

其他因素加剧了这一延迟。CoWoS 封装的后端瓶颈导致半成品晶圆积压成库存，限制了上游晶圆的投入。在晶圆厂层面，企业优先考虑通过工艺转换而非新建工厂来提高效率。与此同时，宏观经济的不确定性、地缘政治紧张局势和外汇波动持续抑制资本执行。

三层响应模型

这种结构性转变在整个供应链中产生了三层需求响应：

晶圆需求：有条件响应，等待经济门槛调整。

设备投资：流程转型驱动，以应对复杂性的增加。

材料需求：与周期延长直接相关，可能出现早期瓶颈。

对于某些工艺关键材料，如 EUV 光刻胶和 TSV 化学品，甚至在晶圆投入完全增加、设备扩展之前就可能出现供应限制。

对于行业利益相关者，该分析提出了三项关键行动：晶圆供应商应围绕 25% HBM 阈值制定基于情景的产能计划；设备制造商应预测工艺转型驱动的需求，而不管当前的晶圆产量如何；材料供应商应为潜在的瓶颈做好准备，因为延长的周期时间会增加每个晶圆的消耗。

至关重要的是，当前的停滞不应被解读为结构性衰退。相反，市场处于战略准备状态，关键条件尚未成熟。一旦这些条件成熟，晶圆需求可能会呈现非线性反应—— 而且这种势头已经在朝着这个方向发展。

结构性拐点（HBM 渗透率约为 25%）和周期时间增长（+14.8%）不仅对晶圆生产商，也对整个上游供应链具有前瞻性。问题不在于这种拐点是否会发生，而在于何时发生。了解这些结构性动态并做好相应准备的公司，将在非线性需求响应到来时占据最佳优势。

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