HBM4，路线各不同_风闻

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

三星计划在其HBM4产品中使用1c DRAM，而SK海力士则计划在同一类别中采用上一代1b DRAM。

在全球存储芯片行业最新战场——10纳米级第六代DRAM领域（1c、11-12纳米级）竞赛中，三星电子与SK海力士采取了截然不同的策略。

为了从上一代产品的挫折中恢复过来，三星迅速采取行动，投资新的生产设施，而 SK 海力士则推迟大规模支出，直到在与包括 Nvidia 在内的主要客户谈判中确认明年的供应承诺，确保盈利能力。

预计三星将比SK海力士提前三到四个月开始量产1c DRAM。分析师表示，如果三星成功向英伟达供应采用新工艺生产的DRAM的第四代高带宽内存（HBM4），它有望重夺约30年来首次失去的市场领先地位。

每一代 DRAM 都采用更先进的制程技术，通过缩小电路线宽来减小芯片尺寸并提高密度，从而提升性能和能效。三星、SK 海力士和美国美光科技公司目前正在 10 纳米级第四代（1a、14 纳米级）和第五代（1b、11-12 纳米级）DRAM 市场展开竞争。业内观察人士预计，1c DRAM 的竞争将从明年开始升温。

据业内人士8月11日透露，三星已于第一季度开始陆续订购1c DRAM生产设备。该公司自今年上半年以来一直在采购DRAM制造工具，预计将于年底完成生产线建设，并全面投入量产。SK海力士计划最早于第三季度开始订购设备，并计划于明年实现量产。

三星一直试图在1c DRAM产量上超越SK海力士，以弥补其1a和1b产品线的失误。近年来，该公司一直致力于解决DRAM质量问题，这些问题严重到需要重新设计已量产的芯片。这些问题也影响了其HBM产量，导致HBM市场出现亏损，并让三星失去了近30年来一直保持的DRAM市场领先地位。

市场追踪机构 Omdia 报告称，2025 年第一季度，SK 海力士占据了 DRAM 市场 36.9% 的份额，超过三星（份额为 38.6%），位居第二。

三星计划在其 HBM4 产品中使用 1c DRAM，而 SK 海力士则计划在同一类别中采用上一代 1b DRAM。由于三星在 HBM 领域落后于 SK 海力士，因此它寄希望于 DRAM 的代际飞跃来确保性能优势。第二季度，三星向其最大的 HBM 客户英伟达交付了 HBM4 样品，目前正在进行质量测试。SK 海力士已于第一季度向英伟达交付了 HBM4 样品，并正在就明年的供应量进行磋商。

SK海力士计划在今年下半年大规模订购1c DRAM设备。尽管其1c DRAM技术被认为已准备好立即量产，但该公司仍采取谨慎的策略，专注于为英伟达和其他主要客户生产基于1b DRAM的第五代HBM（HBM3E）。SK海力士计划在第三季度敲定明年的供应协议，并在盈利能力得到保证后继续投资。

据悉，在即将于本月25日举行的韩美峰会上，人工智能(AI)半导体成为重要议题，三星电子、SK海力士等韩国主要半导体企业正在敲定对美国的追加投资计划。报道成为，三星电子在获得特斯拉、苹果等大型科技客户大额订单后，正积极考虑扩大当地投资，包括向去年底投资计划中未包括的封装设施追加10万亿韩元（约合72亿美元）。

三星电子原计划向位于美国德克萨斯州泰勒市的晶圆代工(半导体代工)工厂投资440亿美元，但由于去年底业绩不佳，该公司调整投资节奏，投资计划随后下调至370亿美元。最初的投资计划包括4nm和2nm晶圆代工工厂、先进封装设施以及先进技术研发设施。然而，由于当时难以获得客户，导致先进封装设施的 70 亿美元投资全部被放弃。

然而，三星电子于7月28日与特斯拉签署了价值23万亿韩元（165亿美元）的AI芯片的多年供应合同，并在短短十天后成功获得苹果图像传感器的订单，这进一步凸显了其建设尖端封装工厂的必要性。为了规避美国关税压力，从核心芯片制造到后期处理，所有环节都必须在本地完成。三星电子在争取大型科技客户方面最重要的优势在于其集内存、晶圆代工和封装于一体的交钥匙服务。

三星电子对于美国的追加投资，预计不仅在封装方面，在设备和材料方面的投资也将增加。截至今年第一季度末，泰勒Fab 1工厂的建设已完成91.8%，预计将于10月底竣工。三星电子计划在年内先完成洁净室的建设，然后在明年陆续安装半导体生产设备。一家为泰勒工厂供应半导体材料的公司的高管表示：“据我了解，由于预期本地投资将增加，目前正在就扩大供应进行商谈。”

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