DRAM市场，将创新高_风闻

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

传统通用型DRAM和服务器高价值DRAM量价齐升双重驱动，2025年DRAM市场有望创新高。

根据CFM最新报告显示，2025年年初至今，NAND Flash市场综合价格指数上涨9.2%，DRAM市场综合价格指数上涨47.7%。其中，6月NAND Flash市场综合价格指数上涨0.8%，DRAM市场综合价格指数上涨19.5%。

以DDR4/LPDDR4X为代表的传统DRAM产品，从2024年下半年供应过剩到2025年上半年供不应求的剧烈反转，对服务器和消费类终端造成较大冲击。在AI驱动的内存升级浪潮、原厂保利润的供应策略与下游长尾刚性需求的叠加作用下，传统通用型DRAM和服务器高价值DRAM量价齐升双重驱动，预计将推动2025年DRAM市场创下历史新高。

美光DRAM相关业绩情况

根据美光公布的截至2025年5月29日的FY2025Q3财季业绩，营收93亿美元，同比增长37%，净利润21.81亿美元，同比增长210.7%。这一业绩得益于DRAM业务营收创历史新高，其中HBM营收环比增长近50%；数据中心营收同比增长逾一倍；面向消费者的终端市场也实现了强劲的环比增长。

其中，DRAM在本季度收入70.71亿美元，占总收入的76%，环比增长15.5%。DRAM Bit出货量环比增长超20%，DRAM ASP环比下降低个位数百分比（1%-3%）。

在技术进展方面，美光1-gamma DRAM技术节点良率提升速度甚至超过了此前1-beta节点创下的纪录，此外还完成了基于1-gamma的LPDDR5 DRAM首批认证样品的出货。

美光1-gamma DRAM采用极紫外光刻（EUV）技术，相比1-beta节点可实现位元密度提升30%，功耗降低20%以上，性能最高提升15%。美光的尖端DRAM节点（例如 1 beta 和 1 gamma）专注于最新一代产品，例如 DDR5、LPDDR5 和 HBM，而DDR4和LPDDR4主要采用1-alpha DRAM 节点生产。

SK海力士DRAM相关业绩情况

根据SK海力士2025年第一季度财报，公司营收达17.64万亿韩元，同比增长42%，营业利润7.44万亿韩元，同比增长158%。其中，DRAM业务营收环比实现高个位数增长，平均销售价格（ASP）持平。SK海力士在财报电话会议上表示，总销售额中有80%来自DRAM。SK海力士一季度总销售额为17.6391万亿韩元，其中约有14.1112万亿韩元来自DRAM。

根据Counterpoint报告显示，在SK海力士DRAM总出货量中，HBM的占比仅为14%，但其在销售额和营业利润中的占比分别达到了44%和54%。SK海力士通过HBM实现了约6.2089万亿韩元的销售额。

值得一提的是，Counterpoint数据表明，今年一季度SK海力士以36%的市场份额，在DRAM营收上首次超越三星，成为行业新“老大”，这是四十多年来首次改写市场格局。

三星DRAM相关业绩情况

根据三星电子2025年第一季度财报，公司营收达79.1万亿韩元，创历史新高。其中，存储营收为19.1万亿韩元，环比减少17%，同比增长9%；存储业务所在的DS部门Q1经营利润为1.1万亿韩元，环比减少62%，同比减少42%。

最新消息称，目前三星电子已完成D1c DRAM的开发，预计该款产品将很快投入量产，并将成为第六代高带宽存储器HBM4的基础，HBM4计划于今年下半年实现量产。

D1c DRAM是10纳米早期工艺的产品。自去年全永铉副董事长就任DS部门负责人以来，三星电子开始检验DRAM的竞争力并改进整体设计。据悉，为了提高良率，三星电子还采用了“干式光刻胶”等新材料和技术。三星电子预计将通过逐步提高D1c的生产比例，同时降低上一代产品的比例来确保稳定的量产良率。通常，量产转移后的初期良率约为50%，而达到80-90%的稳定良率大约需要6个月的时间。

三星电子已制定计划在韩国华城工厂建设1c DRAM生产线，预计该项投资最早将于今年年底完成。此前，三星电子在平泽第四园区（P4）建设第一条1c DRAM量产线，规划产能为每月3万片。

根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，16Gb DDR4消费级DRAM芯片现货价格持续上涨，而8Gb DDR4等PC级DRAM芯片则出现小幅回调。NAND Flash方面，随着供应商产能资源逐步释放，加之中国国家补贴政策效应减弱，导致现货市场低迷。具体情况如下：

DRAM现货价格

虽然现货价格在过去一周开始略有下降，但这主要反映了此前DDR4芯片价格的快速大幅上涨。整体供应仍然非常紧张。值得注意的是，16Gb DDR4消费级DRAM芯片的现货价格持续上涨，而8Gb DDR4等PC DRAM芯片的现货价格则出现小幅回落。TrendForce预计，短期内现货价格将基本保持稳定。主流芯片（例如DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格从上周的5.153美元下跌至本周的5.073美元，跌幅为1.55%。

由于主流DRAM制造商转向生产新一代DDR5和LPDDR5X产品，并将于2025年底前大幅削减DDR4和LPDDR4的产量，这导致近期成熟制程DRAM价格上涨明显。 DDR4和LPDDR4被视为成熟制程产品。

回溯DDR4的涨价历史，由于存储原厂开始停产DDR4，5月中下旬DDR4报价逐步上涨，但彼时其价格仍低于DDR5；6月上旬开始出现倒挂，DDR4现货价超过DDR5，而两周之后的现在，DDR4现货价格较DDR5高出一倍，价格飙涨速度可见一斑。

在今年一季度最后一个交易日，DDR4 16Gb（1Gx16）3200现货均价为3.95美元，不到一个季度即飙涨两倍；DDR4 8Gb（1Gx8）3200则从1.63美元大涨至6月23日的5.2美元，涨幅则接近2.2倍。

上文提到的价格均为现货价格，而在业内人士看来，现货涨价后，DDR4合约价格也有望水涨船高。

存储模组公司威刚近日表示，公司订单需求旺盛，客户“下大单排队等出货”，工厂已经连续5个月加班生产，现阶段订单能见度已至9月。其强调，当前上游原厂对DRAM与NAND Flash价格态度仍相当强势，特别是已规划逐步停产的DDR4，在下游提前备货的强大需求下，第三季度合约价涨势已喊出30%-40%的幅度。

NAND闪存现货价格

目前现货市场成交低迷。现货价格通常反映市场走势，早于合约价上涨，因此现货价格普遍高于合约价。随着供应商产能资源逐步释放，加之中国国家补贴效应减弱，现货市场成交低迷，整体成交量明显萎缩。本周512Gb TLC晶圆现货价格下跌0.11%，报2.680美元。

过去几年，NAND 供过于求，需求年增率从 30% 下降到 10%-15%。但 AI 技术的迅猛发展，正在成为新的增长引擎。

自 ChatGPT、AIGC 等 AI 应用爆火后，对算力和存储的需求呈现出指数级增长。机构预测，到 2025 年，全球企业级 SSD 的 bit 需求量至少增长 30%。

面对这一轮供应紧张、需求回暖的市场行情，其他厂商也纷纷跟进涨价。比如，闪迪（SanDisk）早在 3 月 6 日就宣布，自 4 月 1 日起，全渠道存储产品涨价超过 10%，并且还计划实施季度性动态调价。官方给出的理由是供需失衡和国际关税压力。

整个 NAND 市场的涨价潮已经愈演愈烈，但这波价格反弹能否持续，还得看终端市场的接受程度。如果 NAND 价格上涨过快，可能会让消费者更加谨慎，进一步压制需求。此外，AI 终端产品，比如 AI PC、AI 眼镜、AI 耳机等，目前还处于起步阶段，是否能引发大规模换机潮，仍然存疑。

比如在手机市场，据CFM闪存市场数据显示，预计2025年手机NAND平均容量达到224GB，DRAM平均容量超过8GB。NAND方面，搭载eMMC和UFS2.2的中低端机型仍然是出货主力，128GB及以下的eMMC/UFS2.2的供应以存储品牌模组厂商和国产厂商居多，256GB起步的高端机型更多地集中应用三星、SK海力士等原厂的UFS4.0/4.1。而随着原厂NAND制程升级，低容量NAND Flash产出减少，1Tb NAND Flash Wafer供应增加。同时，由于高端旗舰机型占比提升有限，UFS4.0/4.1整体供应充足。因此，反映在手机终端应用的嵌入式NAND产品上，呈现低容量嵌入式NAND供应整体趋于紧平衡，而256GB及以上UFS4.0供应充足价格压力较大。不过原厂出于坚定保利润的角度，对于嵌入式NAND价格让步空间预计将十分有限。

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