对话英飞凌：持续创新，以技术深度和产品广度满足中国客户需求_风闻

2025年是英飞凌进入中国市场的第30年。

从晶体管到AI时代，英飞凌始终推动行业进步。而如今在全球汽车产业加速向电动化、智能化转型的浪潮中，半导体技术的核心驱动力显而易见，而英飞凌凭借深厚的技术积累和前瞻性的布局，一直致力于为用户提供更可靠的碳化硅技术。

日前，在第十七届国际汽车动力系统技术年会（TMC2025）上，半导体产业纵横采访了英飞凌科技汽车业务动力与新能源系统业务单元高级首席工程师赵振波。

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英飞凌碳化硅功率模块迅猛上车

在新能源汽车领域，第三代半导体碳化硅凭借卓越的电气性能，成为提升电驱系统转换效率的核心材料。通过采用碳化硅器件，电驱系统能够显著降低能量损耗，有效缓解用户的续航里程焦虑。就目前市场上的电动汽车而言，其电压架构通常为400V或800V，一些接近400V的也被称为400V架构，比如特斯拉的Model 3和Model X的电压为350V ，Model S的电压为 375V，Model Y的电压为400V。混合动力汽车电池电压范围在100至300V 之间，具体取决于电池的大小。

800V架构的设计成本更高，但这并没有阻止各大品牌互相竞争，不断提高电压，到2025年800V已经逐渐成为电动汽车的标准。一方面，800V架构将电动车的充电时间大幅缩短，另一方面，较高的电压产生较低的电流，从而减少热量，对于电动汽车电池来说是一件好事，降低电池冷却系统的负担，减少热失控的风险。其中800V的电驱系统，基本上都会采用碳化硅功率器件，这也刺激了碳化硅市场的增长。赵振波指出：“近年来碳化硅市场以30%多的比例增长，市场规模愈发庞大。未来，英飞凌将碳化硅与三电平技术结合做成混合模块，在整个电驱市场都将具有很大的机会。”

英飞凌也适时推出新产品和新技术，并赢得车企客户认可。比如，PCB板嵌入式SiC 1200V S-cell，Si/SiC混合模块Fusion产品，下一代SiC G3芯片等，韩国某汽车公司已成为英飞凌SiC沟槽型超结（TSJ）技术的首批客户之一，他们将充分利用这项技术的优势提升其电动汽车产品性能。该合作能够帮助该公司开发出更加高效、紧凑的电动汽车动力传动系统。

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英飞凌通过本土化布局解决客户痛点

中国已成为世界最大的电动汽车生产国家。

如何更好地服务中国本土车企等客户已成为供应链企业的重中之重。近年来，英飞凌一直在践行“在中国，为中国”的本土化战略，通过“运营优化、技术创新、生产布局和生态共建”四大战略支柱，持续为客户增加价值，推动在华业务的长期、稳健、可持续发展。

赵振波在采访中进一步解释，“其实最终我们还是要围绕着电驱上面客户的痛点，以客户应用需求为中心，为客户带来价值作为主要的产品设计导向。从产品角度讲，英飞凌的产品覆盖范围广泛，涵括标准电芯（S-Cell）、单管、IGBT 功率器件模块等，包括全塑封引线框架的半桥结构，提供了丰富的产品线来帮助客户完成主驱设计。除了主驱的功率部分，英飞凌在控制、执行、感知各个层面都有相应的方案，如控制方面的AURIX系列，PMIC电源管理芯片等等，提供了一站式功率器件解决方案，帮助客户完成系统设计。从技术创新角度讲，英飞凌持续推动技术研发，从Gen2、2p到未来的Gen 3技术；模块上面也有一些混合功率器件产品满足客户低成本、高效率的需求；此外还有SSC（大面水冷）也满足了半桥的设计需求。从本土化角度讲，包括制造本土化的生态，本土化客户的需求和定义，以及本土化的团队以强大的专业性和支持性及时响应客户需求。这些未来都会帮助我们提升竞争力。”

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提前瞄准900V 以上电驱平台需求

在高电压技术领域，目前行业正朝着900 伏甚至 1000 伏电压升级。针对这一趋势，英飞凌采取了两大技术策略：一是提升器件阻断电压 —— 现有 1200 伏碳化硅器件的耐压能力将逐步升级至 1300 伏、1400 伏，以适配 900 伏级高电压系统；二是优化芯片电路拓扑结构，例如采用三电平拓扑等方案，从架构层面满足高压需求。赵振波表示：“在芯片端，英飞凌持续优化芯片特性，降低Rdson，来提升功率器件的转换效率。S-Cell的最新产品也能帮助客户提升产品设计的功率密度。未来在800 V方向，还可以结合GaN、SiC研发三电平主驱，英飞凌在这一领域做了大量的布局和研究，未来可以帮助客户更快适应新技术。”

值得注意的是，英飞凌已具备1700 伏功率器件的开发能力（该技术在工业领域的碳化硅应用中已较为成熟），但目前汽车领域尚未涌现明确的 1700 伏需求场景。尽管 900-1000 伏高压平台是未来趋势，但市场需求仍待进一步释放，而英飞凌的技术储备已完全就绪。实际上，业内已经有一些相关产品率先布局和推出。比如英飞凌的CoolSiC产品系列覆盖了400V至3.3kV的电压范围，应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。

最近，英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS）领域的创新优势，推出了SiC沟槽型超结（TSJ）技术。英飞凌计划逐步将TSJ技术和CoolSiC产品组合。首批基于这项新技术的产品是适用于汽车牵引逆变器的IDPAK封装1200V功率器件，可用于汽车牵引逆变器。据了解，这项技术的主要优势之一是通过将Ron*A降低多达40%以获得更高的功率密度，从而在相同功率等级下实现更紧凑的设计。此外，ID-PAK封装1200 V SiC TSJ功率器件可在不牺牲短路能力的前提下，将主逆变器电流承载能力提升多达25%。

总而言之，该技术进一步为要求严苛的汽车和工业应用带来了整体系统性能提升，包括更低的能耗和散热要求，以及更高的可靠性，还降低了并联要求，从而简化了设计流程并降低了整体系统成本。凭借这些创新优势，基于英飞凌ID-PAK封装的SiC TSJ功率器件将助力汽车应用领域设计出更高效、更具成本效益的牵引逆变器。

赵振波在采访最后表示：“我们始终以客户需求为导向：若终端应用提出更高耐压要求，英飞凌将迅速启动针对性开发，持续引领高压功率器件的技术演进。”