三星1nm，指向2029年_风闻

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

三星1nm工艺研发启动，预计2029年后量产。

根据首尔经济日报报道，三星电子开始研发 1.0nm 晶圆代工工艺，以图在与台积电的竞争中实现“技术翻盘”。

根据该日报报道，三星电子半导体研究所近日正式着手研发 1.0nm 工艺，部分曾参与 2nm 等尖端制程的研发人员被抽调，组建了专项项目团队。在目前三星公开的晶圆代工工艺路线图中，计划于 2027 年量产的 1.4nm 工艺为目前最尖端的工艺。

1nm 工艺需要打破现有设计框架，引入新技术概念，以及引入高数值孔径极紫外（High-NA EUV）曝光设备等下一代设备。三星预计，量产时间将在 2029 年之后。

目前，三星在量产中的 3nm 工艺，以及预计在今年量产的 2nm 工艺，首尔经济日报认为技术上仍落后于台积电，尤其是 2nm 工艺方面，台积电的良率已突破 60%，存在显著差距。因此，三星对 1nm 工艺寄予厚望，三星会长李在镕上月向高管们强调要“延续重视技术的传统”，并表示“以前所未有的技术引领未来”。

据悉，三星目前最新的 2nm SF2 工艺初始良率“高于预期”，搭载该工艺的 Exynos 2600 芯片试产良率为 30%。

值得注意的是，上个月刚刚传出了三星1.4nm要夭折的消息。三星代工厂最初计划在 2027 年之前实现 SF1.4 节点的大批量生产，同时还将推出其他专用节点，例如专为汽车应用而设计的 SF2A 和 SF2Z，其中 SF2Z 是该公司首个采用背面供电技术的节点。但有消息称三星雄心勃勃的 1.4nm 节点可能会被彻底放弃，让人对该工艺的未来产生了怀疑。这一潜在挫折只是该公司面临的一系列更广泛挑战的一部分。

三星代工厂的 SF3 工艺产量低于标准，导致 Exynos 2500 的发布被推迟。此外，由于需求低迷，该公司不得不缩减部分较旧的 5nm 和 7nm 节点的产能。尽管遭遇这些挫折，但据报道三星仍在继续基于其 SF2 工艺开发Exynos 2600，并正在为 PFN 开发 AI 芯片。此外，据报道，三星的部分 4nm 节点已收到新订单。

据韩国媒体报道指出，三星代工厂的市场份额为 8.2%，与台积电占主导地位的 67.1% 相比相形见绌，这可能会导致该公司内部进行重大改革。此外，有媒体暗示，Exynos 部门可能会转移到三星 MX，使其对未来智能手机片上系统设计有更大的控制权。

三星在半导体领域的困境还因各业务部门面临的更广泛挑战而加剧。该公司最近报告称，智能手机和内存芯片等几个关键领域的市场份额均有所下降。

根据Counterpoint Research的Memory Tracker数据， SK海力士首次超越三星电子，以36%的市场份额位居全球DRAM收入榜首。

高级分析师Jeongku Choi表示：“这对SK 海力士来说是一个里程碑，该公司成功将 DRAM 产品推向了对HBM内存需求持续旺盛的市场。专用 HBM DRAM 芯片的制造一直以来都极其棘手，那些在早期就抓住机会的企业已经获得了丰厚的回报。”

Counterpoint Research 预计 2025 年第二季度 DRAM 市场在各个细分市场的增长和供应商份额方面将呈现相似的情况。

“目前全世界都在关注关税的影响，所以问题是：HBM DRAM 市场将如何发展？” 研究总监MS Hwang指出。 “至少在短期内，由于人工智能需求应该保持强劲，该领域不太可能受到任何贸易冲击的影响。更重要的是，HBM 的最终产品是人工智能服务器，而人工智能服务器的定义本身就不受边界限制。”

从长远来看，Counterpoint 认为 HBM DRAM 市场增长的风险源于贸易冲击带来的结构性挑战，这可能引发经济衰退甚至萧条。

在如此严峻的形势之下，三星内部也掀起了反思与变革的浪潮。

据业内人士透露，三星电子董事长李在镕警告高管，公司已经“失去优势”，必须以“不成功便成仁”的心态应对挑战。

消息人士今日称，三星最近在一次旨在强化三星形象的研讨会上向高管传达了李健熙的信息。该研讨会自 2 月底开始举办，在首尔南部龙仁市的公司培训中心举行，共有来自三星各子公司的约 2,000 名高管参加。

研讨会上播放的视频介绍了三星已故创始人李秉喆和前董事长李健熙的经营哲学以及李在镕的讲话。

据透露，李健熙在信息中表示：“三星的生存岌岌可危。领导层必须进行深刻的自我反省。”他还强调，公司应该专注于应对危机的方法，而不是危机本身。“我们必须优先考虑长期投资，而不是短期收益，”他说。李健熙本人并未出现在视频中。

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