三星、SK海力士，在中国营收暴增_风闻

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

韩国两大存储芯片公司，受益于中国大陆市场。

韩国三星电子和SK海力士去年依托中国《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》相关举措，在华销售额实现大幅增长。

三星电子3月12日公布的业务报告显示，公司去年对华出口额同比增加53.9%，为64.9275万亿韩元（约合人民币3241亿元），超过对美出口额（61.3533万亿韩元）。在公司对华出口额中，芯片销售占绝大部分。另据三星电子审计报告数据，公司在中国西安的闪存芯片（NAND）工厂（销售额11.1802万亿韩元，营业利润1.1954万亿韩元）和上海的半导体销售分公司（销售额30.0684万亿韩元）去年销售额也大幅提升。

SK海力士方面，无锡动态随机存取存储器（DRAM）工厂去年转亏为盈，营业利润（5985亿韩元）可观；无锡半导体销售分公司去年销售额（13.0104万亿韩元）和净利润（1432亿韩元）分别同比大增64.3%和65.4%。

在当今数字化时代，存储芯片堪称现代科技的“幕后英雄”，扮演着举足轻重的角色。从我们日常使用的智能手机、笔记本电脑，到数据中心里的海量服务器，再到飞速发展的人工智能领域，存储芯片无处不在，是数据存储与读取的核心载体，为各种设备和系统的稳定运行提供了坚实保障。

据悉，三星位于西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂，也是最大的存储芯片生产基地。三星前后花了十年的时间建设，分为两期工程，总产量最高可达到每月25万片晶圆，是全球单个产能最高的NAND闪存工厂，占据了三星约40%的NAND闪存产量。

此前有报道称，三星已经决定削减西安工厂的NAND闪存产量，减少10%以上。三星做此动作的原因除了应对价格下降、保持利润率，同时还打算升级到新的工艺。随后不久就有消息称，三星电子正在将其中国西安工厂升级为286层（V9）NAND 闪存工艺，以应对当前的市场低迷并抵御来自中国半导体公司日益激烈的竞争。

这一努力旨在抵消持续市场需求下滑的影响，另外也是为了提升产品竞争力，应对来自中国厂商的竞争及市场的需求。

自2023年以来，三星一直在推动将其西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺过渡到236层（V8）生产线。然而，该公司决定更进一步，安装一条V9生产线。三星计划在今年上半年引进该工艺所需的新设备，并计划在下半年建立一条每月产能为2000~5000片晶圆的生产线。此次转型是三星保持技术领先地位和确保长期产品竞争力的更广泛战略的一部分。

SK海力士也在正积极加大对无锡厂的投入力度，以期通过扩大产能和提升技术水准，更好地应对日益激烈的市场竞争。

近年来，随着 5G、人工智能、物联网等新兴技术的迅猛发展，全球数据量呈爆发式增长。国际数据公司（IDC）预测，到 2025 年，全球数据总量将达到 175ZB。如此庞大的数据量，对存储芯片的需求也在持续攀升，存储芯片行业迎来了前所未有的发展机遇。在国际存储大厂持续加码对中国大陆投资之时，国产存储企业在过去一年同样成绩斐然。澜起科技、兆易创新、德明利、佰维存储、普冉股份、江波龙等众多国产存储企业，在 2024 年均展现出强劲实力。以澜起科技为例，其业绩预告显示，公司业绩攀上历史新高峰，预计实现营业收入约 36.39 亿元，同比增长约 59.20%；归母净利润在 13.78 亿元至 14.38 亿元区间，同比增长幅度高达 205.62% 至 218.93%。

随着国产芯片企业的持续进步，市场竞争格局正悄然改变。特别是在物联网、大数据和云计算业务迅猛发展的大背景下，国产存储芯片有望大幅提升市场份额。这不仅会促使国内存储芯片产业链上下游协同发展，带动相关技术研发与创新，还可能打破国际大厂在部分市场的垄断局面，推动全球存储芯片市场朝着更加多元化、竞争更充分的方向演进。未来，国产存储芯片企业或许将在更多高端应用领域崭露头角，进一步缩小与国际先进水平的差距，为全球存储芯片行业注入新的活力与变革动力。

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