硬盘可能要降价？强如三星，也得向国内厂商“借”技术了_风闻

 昨天差评君在网上冲浪的时候，看到这样一条重磅新闻 —— 

三星和长江存储突然官宣合作，而且在三星接下来推出的存储产品（ NAND 闪存芯片 ）中，很可能就会用上来自长江存储的专利。

好家伙，一个是全球半导体行业老大哥，一个是中国存储芯片领域黑马，我相信很多人肯定都好奇，它俩咋突然搞在一起了，要知道，长江存储人送外号 “ 价格屠夫 ”，一度让硬盘价格断崖式下跌。

 难不成存储行业马上要变天，固态硬盘真要变成 “ 白菜价 ” ？

各位正打算扩容或者装机的差友先别激动，虽然目前它俩还没有通过官方渠道表态，而且国内所有新闻来源，基本上都是来自一个定位和 The Verge 类似的韩媒 ZDNet。

 但我这两天仔细研究了一下，发现这件事儿即使现在不是真的，过几年也很有可能成真 —— 因为估计三星自己都没想到，之前它居然给自己挖了个大坑，现在只能硬着头皮跳进去。。。

而这故事呢，得从三星疯狂 “ 盖楼 ” 开始说起。

很多差友应该都知道啊，你手机里存了好几年的初恋合照，微信里舍不得删的聊天记录，甚至从 Steam 上下的各种 3A 大作，能安稳保存到今天，基本全靠指甲盖大小的 NAND 闪存芯片。

这种 NAND 闪存芯片一般被广泛应用于固态硬盘，作为数据存储的核心部件，包括咱们手机上用的也是这种，很显然，咱们对存储的需求肯定是容量越大越好，要是价格能再便宜些就更好。

 而过去二十多年，芯片厂商为了突破 “ 容量-成本 ” 的物理极限，捣鼓出了两条主流技术路线。

一种是在一个平层里塞进更多数据，这也是咱们买固态硬盘经常会看到的 SLC、MLC、TLC 还有 QLC，从 SLC 到 QLC，它们的成本依次降低，但与此同时使用寿命和读写速度也会跟着下降。

就好比一座房子，SLC 是一个房间只住个 1 人，读写速度快、寿命也长，但就是造价太高，MLC 则是一间房住 2 人，读写性能和成本都处于中间水平，而 TLC 和 QLC 则是分别住 3 和 4 人。

前几年通过 TLC 和 QLC 技术的应用，硬盘性价比有过一段时间的持续提高，但是目前来看四层单元的 QLC 已经快到头了，原因一个是边界效应越来越明显，另一个是数据的稳定性不断下降。

举个例子，从 TLC 升级到 QLC，容量可以提升 30%，但从 QLC 进一步升级到 PLC，容量就只能提升 25%，而且 QLC 还能保证单单元 1000 次的反复读写，但到 PLC 据说就只能保证几十次。

 就在平层技术快撞到 “ 天花板 ” 的时候，另一种技术就开始派上用场 —— 3D NAND。

这技术说起来也不难理解，就好比原先是一座平房，房间数撑死也就这些，能容纳的人数也就是数据有限，但现在不局限于在平地折腾了，而是往上不断盖楼，盖的楼越多，容量照样能上来。

而作为存储界的 “ 扛把子 ”，三星早在 2013 年，就正式宣布推出已经量产的 24 层堆栈 TLC V-NAND 闪存（ 这里的 V 代表 Vertical ，垂直的意思 ），正式开启了闪存芯片的 “ 堆叠战 ”。

 在过去十年，三星更是把闪存芯片叠成了 “ 赛博高楼 ”，直接一路从 32 层盖到了 280 层。

作为对比，当年三星把闪存芯片盖到 176 层，层数超过迪拜塔的时候，部分友商还在努力突破 128 层，而它计划于今年下半年开始大规模生产的第十代 V-NAND，层数据说会到 420-430 层。

 之所以三星能盖这么快，除了这些年不断迭代的堆叠技术，它的盖楼绝活 ——  CoP 技术其实也功不可没。

这项技术简单说就是把控制电路和存储单元叠在同一块晶圆上，就像咱们盖房子，得先打地基（ 底层控制电路 ），再往上盖楼（ 堆叠存储单元 ），控制电路像地基一样垫在存储单元下面。

之前三星凭借这项技术，每年都能实现层数的稳步增长，但是今年他们要挑战 430 层的时候，却发现自家祖传的 CoP 技术遇到了瓶颈 —— 那就是这个 “ 地基 ”，快被存储单元 “ 压塌 ” 了。

换句话说，随着叠加的楼层不断增高，底层控制电路承受的压力也越来越大，信号延迟、发热问题会严重影响闪存的性能和可靠性，要是再严重点，可能楼还没封顶，它这地基自己就先塌了。

芯片出厂就是残废，或者没用多久就炸盘，就问这你受得了么？更何况时间不等人，在三星被 430 层卡住脖子的时候，友商 SK 海力士也在奋起直追，据说今年也要量产 400 层以上的闪存芯片。

这对存储业务本来就面临技术瓶颈与市场竞争双重压力的三星来说，绝对算得上是雪上加霜。

 说到这里我就不得不感慨一句，苍天饶过谁，谁能想到曾经一路开挂，把闪存层数叠得飞起，将其他对手甩在身后的三星，有朝一日也会被自家技术卡脖子。。。

而三星之所以选择这个时候跟长江存储合作，大概率就是看中了长江存储的 “ Xtacking ” 混合键合专利技术。

和其它厂商喜欢把控制单元和存储单元设计在一颗晶圆上，然后再投入生产的方式不同，长江存储的 Xtacking 走的是另外一种道路 —— 把存储单元和控制电路分开制造，然后再拼接到一起。

这技术说白了，其实就是把芯片当乐高积木拼。

具体点说就是先在一块晶圆上制造存储单元，然后在另一块晶圆上制造控制电路，最后再把两块晶圆通过数百万根垂直通道直接键合，而且中间不用加任何 “ 胶水 ”（ 比如传统封装用的凸点 ）。

这么做的好处有很多，比如数据传输距离缩短、散热效率飙升，而且还能叠加更多存储单元。

甚至借助这项技术，制造存储单元和控制电路的工艺可以实现各自优化 —— 存储单元用成熟工艺保障稳定性，控制电路用先进工艺提升读写速度，在提升生产效率的同时，还能降低成本。

 按照长江存储自己的说法，Xtacking 能将产品开发时间缩短至少 3 个月，并将生产周期缩短 20%，恐怖如斯。

而且长江存储早在 2018 年，就把涉及到 Xtacking 技术一系列相关专利，注册成了自家 “ 护城河 ”，放眼全球，除了长江存储，也就台积电和美国 Xperi 掌握了混合键合技术的大多数专利。

这也意味着，三星如果想继续搞 400 多层的闪存芯片，技术路线上几乎全是这些对手埋的雷。

 欸，这里就有一个前车之鉴 —— 前一阵，长江存储就向美光提起了诉讼，诉讼理由就是美光在自家 3D 堆叠的闪存设计上，侵犯了长江存储的专利。

我估摸着三星自己也琢磨过，与其到时候法庭上见，最后落得个赔钱或者全球禁售的下场，不如直接找长江存储合作拿专利许可，顺便还能在国内市场刷波好感度，可能还能让自家的产品销量好一些。

 该说不说三星的这波操作，属实是把商战给玩明白了。。。而且据说SK海力士也在和长江存储商量专利协议的事儿，这事儿要是真的，那三星也算是先下手为强了。

说了这么多，我相信各位差友都想知道这跟咱们有啥关系，我尝试着翻遍了各大门户网站，虽然没能找到三星跟长江存储这次合作的具体细节，但是咱们在这里还是可以尝试着推导一下。

 假如，三星这次是直接掏钱找长江存储花钱买的专利授权，那么三星没准会将购买专利的成本部分转嫁到产品价格上，短期内存储产品价格可能不会有明显下降，甚至可能还会小幅度上涨。

但别忘了，市场上还有这么多竞争对手在虎视眈眈，随着制造技术成熟和规模效应，生产成本降低后，存储产品价格势必会迎来下降，到时候咱们就能花更少的钱，买到性能更强的固态硬盘。

而对长江存储来说，在拿到这笔钱后，研发投入会更充足，从而加快自家技术迭代的速度，进一步巩固自身优势的同时，说不定还能借助跟三星合作的影响力，在国际市场开拓出更大的份额。

 但要是三星跟长江存储谈的是各自专利的交叉授权，那么双方技术融合，很可能会催生更多创新的技术和产品。

这对咱们消费者来说，也是件好事，说不定过不了多久，手机容量轻轻松松就能突破 1TB，升级到 1.5T 甚至 2T，以后咱们再也不用担心手机数据被塞爆了。。。

对没错，微信，说的就是你！

该说不说科技圈没有绝对的对手，只有永恒的利益，昨天厂商跟厂商之间还剑拔弩张，改天就能握手言和，而长江存储从最开始的艰难起步，到海外巨头亲自上门要授权，真就应了那句 ——

“ 三十年河东，三十年河西，莫欺少年穷 ”。

 总之，对我们来说，做个 “ 等等党 ” 永远不亏好吧。

来源：

长江存储官网、TechInsights3D_NAND_Current_Future_and_Beyond.pdfhttps://zdnet.co.kr/view/?no=20250222235514https://zdnet.co.kr/view/?no=20250213202429#_DYAD

IT 之家，消息称三星与长江存储重磅合作，V10 NAND 将使用中国企业专利长江存储Xtacking 3.0，率先到200+层这家中国公司现在是3D NAND Flash的领导者

Cornell University - Glitch in Time: Exploiting Temporal Misalignment of IMU For Eavesdropping