LG电子因AI芯片设备研发报道股价大涨——彭博社

LG电子公司股价在首尔上涨，此前当地媒体报道称该公司正在开发用于制造与英伟达公司等设计的AI处理器配套的存储芯片的尖端工具。

据《首尔经济日报》报道，这家韩国公司计划在2028年实现高带宽存储芯片混合键合机的大规模生产，消息来源未透露。LG电子表示正在对HBM混合键合机进行技术研究，但大规模生产的具体时间尚未确定。

韩国是HBM关键供应商SK海力士的所在地，HBM由多层DRAM芯片堆叠而成。混合键合机对HBM制造至关重要，通过直接键合相邻层的电极实现更薄的堆叠。

其他已生产混合键合设备的韩国公司包括韩美半导体公司、三星电子的Semes以及韩华Vision的韩华Semitech部门。周一韩美半导体股价下跌6.5%，韩华Vision下跌4.7%，三星电子下跌1.3%。

现代汽车证券分析师Greg Roh表示：“键合机市场的进入门槛相当高，真正的优势在于那些多年深耕该领域的企业。在市场增长时探索新业务是合理的，但现有强者环伺，需要实力验证。”

该公司还可能面临来自海外的竞争，彭博情报分析师Sean Chen指出，香港上市的ASMPT有限公司和荷兰的BE半导体工业公司将成为混合键合机领域的潜在竞争对手。他在报告中写道：“随着研发和资本支出的增加，LG电子可能面临盈利压力，而到2030年前销售贡献可能有限。”