中国的CXMT内存芯片突破超越美国出口管制 - 彭博社

DDR5是目前由包括SK海力士和三星在内的行业领导者提供的主流DRAM产品。

摄影师：SeongJoon Cho/Bloomberg长鑫存储科技有限公司在美国出口管制旨在限制中国公司的能力的情况下，推进了其芯片制造技术。

CXMT的DDR5动态随机存取存储器技术，出现在Gloway提供的内存模块中，要求采用在中国市场上前所未见的先进制造技术，根据总部位于加拿大的咨询公司TechInsights的研究。

“这意味着他们找到了在商业规模上设计和制造这个芯片的独特方法，”TechInsights的一位代表告诉彭博新闻。“TechInsights没有预期在2025年末或2026年初看到这种内存。”

这一发现突显了中国公司在面对广泛的美国出口管制时如何发展出韧性，这些管制旨在限制中国的芯片制造能力。这些阻止了美国公司提供能够制造具有18纳米或更小“半间距”距离的DRAM芯片的技术或设备，未经华盛顿的批准。CXMT的最新芯片具有16纳米半间距。采用更小纳米距离制造的半导体提供更好的性能和功率密度。

中国人工智能初创公司DeepSeek本周震惊了世界，其模型声称与领先的美国开发者如OpenAI在一系列行业基准测试中相媲美或超越。

DDR5于2020年首次商业化，现在是行业领导者如SK海力士公司和三星电子公司提供的主流DRAM产品。它可用于制造AI加速器所需的高带宽内存芯片，这些加速器由Nvidia公司等公司开发。

然而，根据TechInsights的说法，CXMT的最新技术落后于韩国的双雄和美国的美光科技公司约三年。

在同一项研究中，TechInsights还发现长江存储科技公司在与行业领导者的竞争中变得更加有竞争力。

CXMT的突破紧随其他中国公司在先进技术方面的成就，包括华为技术有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司共同开发的尖端7纳米处理器。