中国国产光刻机取得突破 未透露良率 | 联合早报

美国及盟友扩大对华半导体限制之际，中国官方宣布推广一款套刻不大于8纳米的国产光刻机。受访专家认为，这意味着中国取得科技突破，但官方未透露良率信息，显示其可能不具备国际竞争力。

中国工业和信息化部上星期一（9月9日）在官网发布首台（套）重大技术装备推广应用指导目录，要求各地和中央企业加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同，促进重大技术装备创新发展和推广应用。

目录显示，在集成电路生产装备分类中，一款氟化氩光刻机的核心技术指标，包括65纳米以下分辨率和8纳米及以下套刻能力。

相关消息上周末经由中国自媒体转发后，在中国网络引发关注。一些中国网民认为，这意味着该设备理论上可以用于生产“8纳米及以下的芯片”，是对荷兰和美国的反击，并为此感到振奋。

中国半导体行业媒体“芯智讯”星期天（9月15日）发文分析，从官方披露的参数来看，这款光刻机“最多只能干到55纳米制程”，不能制造8纳米芯片。“很多网友直接把套刻精度跟光刻制造制程节点水平给搞混了。”

延伸阅读

中国不满荷兰扩大光刻机出口管制 将矛头指向美国 [媒体：美国拟扩大对华晶片出口限制

](https://www.bdggg.com/2024/zaobao/news_2024_08_02_698245) 荷兰芯片设备供应商阿斯麦（ASML）几乎垄断这类光刻机的市场，并且从2019年以来被禁止向中国出口该设备。有分析认为，中国若可实现8纳米及以下芯片的生产，未来多数芯片的制造将无需受制于阿斯麦。

上述目录公布的三天前，荷兰宣布扩大阿斯麦两款光刻设备的出口许可要求，使荷兰方面的规则与美国去年单方面对这些机器实施的出口限制保持一致。中国商务部之后表示不满，并呼吁荷兰不滥用出口管制措施。

资深半导体产业顾问陈子昂接受《联合早报》采访时说，中国大陆这款光刻机的精准度和良率指标目前并不清楚，“像这样的新闻过去20年看太多了”。他指出，台湾和韩国也在生产光刻机，但因良率不高很难取得市场。“它是个里程碑，可以当做一个科技突破的信号，但不是一个具有国际竞争力的产品。”

开源证券研究所前副所长、电新首席分析师刘翔星期天在个人微信公众号分析，这款光刻机被安放在数百个设备名单中，没有特别强调出来，很难说是一个很突出、值得“热泪盈眶”的品类，光刻机相关制造企业依然任重道远。

台积电前工程师、蓉和半导体CEO吴梓豪星期天在个人微信公号发文称，在技术指标上，这款光刻机落后国际主流同水平产品超过15年以上。不过他认为，第一代的中国国产氟化氩光刻机落后不要紧，“未来还有第二代第三代”。

吴梓豪说，中国举国之力发展光刻机确实有优势，但作为落后的追赶者，“不要盲目乐观，不要听信虚华浮夸的宣传，尊重科学与事实，整个行业都在奋发努力，压根不需要网民们的吹捧，这没有任何帮助”。

陈子昂认为，这款光刻机仍代表中国大陆在“卡脖子”技术上有所突破，至于能否赶上荷兰和日本的水平，“很难说，至少过去30年，台湾跟韩国看来是无法突破”。