科技战：美国拟限制先进存储芯片出口，中国AI发展再遇新挫折 | 南华早报

随着美国准备实施新规限制韩国向中国企业出口先进存储芯片，中国发展国产人工智能(AI)半导体的努力正面临新的挫折。

业内人士表示，如果韩国的高带宽内存(HBM)芯片供应因美国新规而中断，由于缺乏国内替代品，中国大陆将陷入困境。HBM芯片是采用先进封装技术垂直连接的动态随机存取存储器(DRAM)，是图形处理器(GPU)和其他AI加速器的关键组件。

据路透社上周报道，华盛顿正在考虑新的出口规则，限制此类芯片对华出口。一些中国AI芯片企业已被切断7纳米节点的境外晶圆代工服务，而7纳米工艺对开发先进AI半导体至关重要。长鑫存储研发的低功耗双倍数据速率同步DRAM。图片来源：资料图片

台湾研究机构集邦咨询数据显示，韩国存储芯片巨头SK海力士和三星电子主导着HBM供应，2023年各占全球48%市场份额。中国在存储芯片领域高度依赖韩国，三星和SK海力士在人工智能芯片热潮中，上半年在华销售额均实现激增。加拿大研究机构TechInsights高级分析师崔正东表示：“如果中国无法进口HBM，将在中短期内受到冲击。中国使用的HBM芯片主要来自三星和SK海力士，尤其是HBM2和HBM2E型号。”

尽管获得政府强力资金支持，中国领先的DRAM制造商长鑫存储技术(CXMT)仍未能实现HBM的量产能力。该公司的技术落后韩国竞争对手至少两代，尽管自2023年以来一直在努力追赶。根据美国投行摩根士丹利分析师Shawn Kim、Duan Liu和Michelle Kim周一发布的报告，长鑫存储正与国内一家芯片封装测试企业合作，致力于开发首款国产HBM芯片。