三星电子在3D NAND闪存生产中实现技术突破，光刻胶用量减半

【环球网科技综合报道】11月26日消息，三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了重大技术突破，成功将光刻胶（PR）的使用量减半，这一创新预计将显著提升生产效率并大幅降低成本。

据韩媒The Elec报道，三星电子通过精确控制涂布机的转速（rpm）和优化PR涂层后的蚀刻工艺，将每层涂层所需的光刻胶用量从7-8cc降低至4-4.5cc。此外，三星采用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，使得一次性形成多个层成为可能，进一步提高了工艺效率。

然而，更厚的光刻胶也带来了生产中的挑战。由于光刻胶的高粘度特性，可能会导致涂层均匀性问题。为了解决这一问题，三星电子与长期合作伙伴东进半导体化学公司自2013年起就密切合作，共同研发高性能光刻胶。东进半导体化学公司一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND提供了关键材料。

消息称，从第9代3D NAND开始，三星将全面应用这项新技术。这一创新举措预计将为三星节省每年数十亿韩元的成本。但这也意味着东进半导体化学公司将面临来自三星的订单减少。东进半导体化学公司目前每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元收入，其中60%来自三星。（鱼七）