江波龙FORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先进制程工艺迎接WiFi7时代

2024-09-04

<article><section data-type=“rtext”>深圳2024年9月4日 /美通社/ -- 随着消费者对电子产品耐用性和性能的期望日益增长，市场上对元器件的选择标准也在不断提高。在众多关键组件中，NAND Flash因其在数据存储和处理速度上的核心作用，成为了厂商们尤为重视的焦点。在这一背景下，NAND Flash不仅需要满足基本的存储需求，更要在性能、可靠性以及耐用性上达到更高的标准。客户期望的不再仅仅是"够用"，而是"超越期望"。近日，在ELEXCON2024深圳国际电子展上，江波龙首次提出了PTM（存储产品技术制造）商业模式。该模式的核心在于整合公司的自研存储芯片、固件、硬件和先进封测制造技术，实现更灵活、更高效的全栈式定制化服务和一站式交付。同时，江波龙还正式公布了自研的2xnm SLC NAND Flash系列产品，以创新技术满足市场对高性能、高可靠性的闪存需求，为PTM商业模式下的自研存储芯片注入了新动力。全新制程工艺业界领先性能新一代的FORESEE SLC NAND Flash在技术层面实现了重大突破。产品采用2xnm工艺，不仅实现了业界领先的166MHz工作频率，而且在电路设计上进行了创新，有效降低了噪声干扰，实现数据的快速读写。在性能及容量不断提升的同时，各应用场景对于可靠性和微型化的要求并未降低。工程师团队针对不同SoC方案，通过高精度电路和改进的读写算法，集成了具有更强纠错能力的片上ECC引擎。在保持小尺寸的基础上，FORESEE SLC NAND Flash具备更卓越的数据保持能力和擦写耐用性。经过江波龙全面的测试流程验证，该产品能够满足10万次擦写性能和10年数据保持时间的严苛要求。自研Flash芯片探索多元选择FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)两种主流接口选项，并提供2Gb、4Gb和8Gb等多种容量选择，支持-40~85℃至-40~105℃的宽温工作环境，确保在极端环境下也能稳定运行。此外，WSON8、TSOP 48、BGA 48和BGA 63的多样化封装形式，为不同应用场景提供了灵活的集成设计方案。该款产品广泛应用于xPON、WiFi路由器、IPC、MIFI和CPE等市场，为智能设备提供了强大的数据存储支持。<img data-alt="" src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/a1541ef548b4cb678dadc879ba9a2ef6.png?imageView2/2/w/750" />迎接WiFi7时代定制客户未来所需以无线路由器设备为例，当前WiFi5&6使用的主流闪存容量为1Gbit甚至容量更小的128Mbit，但随着WiFi7路由器、FTTR等高性能设备逐渐开始商用，需要使用2Gbit SLC NAND Flash才能够满足其系统要求。同时，当前主流的SPI NAND Flash主频规格为120MHz，未来随着AI及边缘计算的规模化发展，133MHz和166MHz的更高主频规格将有望成为市场"新宠"。FORESEE团队深刻理解客户需求，为了满足市场对读取性能的需求，FORESEE 2Gb SPI NAND Flash产品支持DTR模式，在不升频的情况下，支持时钟上升沿及下降沿接收地址信息并传送数据，并在Quad SPI模式下实现了数据吞吐量的显著提升。此外，团队通过不断优化芯片设计，产品还加入了内部cache的页数据搬移技术，极大提高了文件系统效率和关键数据的调用效率。控制器与Flash设计+固件开发+封测制造存储芯片完整垂直整合能力通过在NAND Flash、主控芯片和封测制造能力的一系列布局，江波龙在技术、制程工艺、产能效率以及供应链管理等方面实现了质的飞跃，进一步提升在存储芯片领域的综合竞争力。从芯片设计到产品测试，再到规模化量产，江波龙已构建起存储芯片完整的垂直整合能力，为客户提供一站式存储产品技术制造的全栈定制服务。未来，江波龙研发团队将不断深化SLC NAND Flash芯片设计能力，持续优化产品规格，增强SLC NAND Flash的易用性，为MLC NAND Flash的自主批量生产做好充分准备，以适应不断变化的市场需求。同时，公司将继续深入挖掘NAND Flash、DRAM、主控芯片的应用潜力，并融合前瞻性技术，寻求更先进的工艺节点来设计产品，从而加强产品线的协同效应，实现存储性能与成本效益的最优平衡，更好地服务全球客户。消息来源：江波龙</section></article>