三星回应8层HBM3E芯片通过Nvidia测试

<article><section data-type=“rtext”><p>【环球网科技综合报道】8月7日消息，据科创板日报报道，三星回应了有关其“8层HBM3E产品通过英伟达测试”的报道，明确表示这一消息“和事实相距甚远”。三星强调，无法证实与客户相关的传闻，但关于“8层HBM3E通过英伟达测试”的消息不属实。</p><p><img data-alt=“图片来源：东方IC” src="//img.huanqiucdn.cn/dp/api/files/imageDir/c0c7d244472ccf4b7343e372b77b4d36u1.png?imageView2/2/w/750" /></p><p>据研究公司TrendForce预测，HBM3E芯片有望成为今年市场上的主流HBM产品，出货量将集中在下半年。而行业领头羊SK海力士则预计，到2027年，HBM内存芯片的总体需求将以每年82%的速度快速增长。这一趋势无疑为三星等内存芯片制造商带来了巨大的市场机遇。 </p><p>三星方面对此次成功测试表示乐观，并预计HBM3E芯片将在今年第四季度占其HBM芯片总销量的60%。多位分析师指出，如果三星最新的HBM芯片能在第三季度前通过Nvidia的最终批准，这一目标有望实现。据路透社对15位分析师的调查显示，今年上半年三星DRAM芯片总收入预计为22.5万亿韩元（约合164亿美元），其中约10%可能来自HBM产品的销售。 </p><p>值得一提的是，HBM市场的主要制造商目前仅有三家：SK海力士、美光和三星。SK海力士作为Nvidia的长期主要HBM芯片供应商，已在今年3月底向未透露身份的客户供应了HBM3E芯片，据称这些芯片最终流向了Nvidia。而美光也宣布将向Nvidia提供HBM3E芯片，进一步加剧了市场竞争的激烈程度。 </p></section></article>