来看一看国外的EUV光刻机激光器和镜头，道阻且长，行则将至！_风闻

国产65纳米分辨率光刻机开始推广，令人振奋；国产EUV光刻机正在紧锣密鼓地研制中，未来可期。

EUV光刻机代表着光学、物理、材料和精密制造、控制等相关领域水平的巅峰。来看看德意志博物馆展出的EUV光刻机关键部件——激光器和镜头。

德国通快（Trumpf）公司的二氧化碳气体激光器，发出10.6微米波长红外激光，照射到微米级尺寸的锡液滴上，把后者加热到几万度，激发出波长13.5纳米的EUV光。虽然每次激光脉冲的能量不足1焦耳，但为了近乎连续地产生EUV光（为光刻机提供数百瓦的EUV光），激光脉冲照射的频率高达5万赫兹，激光器的平均功率最高可达40千瓦，比工业上用于切割金属的激光还要强。

请看我的帖子：EUV光刻机的驱动激光器长什么样？

德国蔡司（Carl Zeiss）公司的EUV反射镜。

EUV光的穿透能力极弱，无法使用透镜，只能使用反射镜来调控光路。在一块加工到原子级（零点几纳米）平坦的玻璃基底上，沉积周期性的硅/钼（Si/Mo）多层膜（每层膜厚控制在四分之一波长）。EUV光在原子序数不同的两层膜的界面上发生反射，各层的反射光干涉增强，从而实现70%的反射率。

请看我的帖子：光刻机的镜头是如何加工的？

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（左）和德国蔡司公司（右）于上世纪90年代末研制的EUV投影光学系统（物镜）原理样件，前者借助美国劳伦斯伯克利国家实验室的同步辐射光源，在实用化的EUV光源出现前就开展了EUV光刻技术的前期研究。一直到2010年，ASML才把首台研发型EUV光刻机样机交付给韩国三星，2013年交付首台量产型样机，2019年三星和台积电才实现EUV光刻芯片的量产。西方对EUV光刻技术的研究始于上世纪80年代，从实验室基础研究到产品开发成熟是持续几十年积累的漫长过程。

半导体战争是一场持久战，我们刚进入持久战的相持阶段（如果把前几年应对美国制裁中兴、华为视作我们的战略防御阶段），离全面胜利还要付出长期艰苦的努力。在65纳米分辨率光刻机投入使用的基础上，不断完善、提高产能、满足成熟工艺的基础性需求，攻关光源、物镜、浸液系统等核心部件的升级换代，推进到28纳米以下，最终登顶EUV光刻机的巅峰。

对于我国光刻机和整个半导体产业的发展，有充分的信心，但也要有足够的耐心。此时此刻，正有无数研发人员埋头奋战，就让我们送上最诚挚的祝福和鼓励，敬候佳音。

虽无球差校正眼，但怀扫描透射心

从一闪而过的荧屏画面中解析工业生产流程

破解材料密码，见证中国科技进步

做一个比铁还硬、比钢还强的工业党

欢迎关注个人微信公众号“材闻窗外事”