中国声称在芯片制造设备方面取得突破，尽管受到美国制裁 - 彭博社

像SMEE这样的公司正在竞相开发能够缩小与ASML Holding NV等供应商之间差距的机器。摄影师：Qilai Shen/Bloomberg中国声称在自主芯片制造设备的开发上取得了突破，这是克服美国制裁、实现北京半导体目标的重要一步。

与国家相关的组织被建议使用一种分辨率为65纳米或更好的新激光浸没式光刻机，工业和信息化部本月在一份公告中表示。尽管该通知没有具体说明供应商，但该规格标志着与之前由上海微电子装备集团有限公司开发的最先进的本土设备（约90纳米）相比，迈出了重要一步。

芯片制造设备是中国半导体雄心中的一个关键瓶颈，而美国正试图遏制这一点。像SMEE这样的公司正在竞相开发能够缩小与现在被禁止向中国发货的ASML Holding NV等供应商之间差距的机器。工业和信息化部上周声称的进展表明，本土竞争对手在开发更复杂的机器方面开始取得进展，尽管SMEE及其同行还有很长的路要走才能赶上ASML等公司。

齿轮的分辨率决定了集成电路可以印刷到硅上的比例，而ASML最好的光刻机现在的分辨率大约为8nm。提高晶体管密度的一种方法是多次刻蚀低分辨率图案，正如华为技术有限公司所使用的，这有助于缩小差距。不过，美国主导的贸易运动限制中国获取先进芯片和芯片制造设备，抑制了其在开发如人工智能等新兴技术方面的竞争力，这些技术需要最先进的半导体。

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在其报告中，工业和信息化部还列出了希望更广泛使用的一系列自主开发的芯片相关设备，包括氧化炉和干刻蚀设备。

中国半导体制造商很少提供其芯片制造技术的详细信息，因为该领域已被北京认定为对国家安全“战略关键”。SMEE已成功开发出一台光刻机，可以用于制造28nm芯片，关键的国家支持者张江集团在2023年宣称。尚不清楚该机器是否已投入生产，也不清楚它与上周工业和信息化部的通知有何关系。

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虽然普遍认为中国在技术复杂性方面难以进一步突破——例如华为一年前推出的7nm麒麟手机芯片——但缺乏透明度引发了华盛顿对其贸易限制有效性的担忧。

拜登政府对中国实施了广泛的出口管制，并且还向荷兰施压，要求对ASML在中国的业务实施更严格的限制。中国依赖ASML的浸没式深紫外光刻系统来推进其芯片制造技术，因为该国尚未能够开发出同样能力的设备。