目前国产芯片设备绝非媒体或者设备商自己宣传那般乐观_风闻

【本文来自《专访英特尔宋继强：除了最先进的光刻机，英特尔制程反超台积电还有哪些招数？》评论区，标题为小编添加】

单单以28nm来说, 先扣除目前完全无法做的光刻机以及部分高门槛设备, 将CVD、ETCH、量测检测、离子注入、涂胶显影、CMP、炉管、清洗、去胶等国产设备能做得拉高到50%的国产化率，个人预估良率最终会落在50%上下，然后经过几年的优化与设备一代一代的更迭，1-2年后50%国产化率的28nm产线估计能达到90%，但如果再将国产化率从50%进一步拉高到70-80% , 那良率也将大幅度下滑 , 又必须再经过1-2年的拉升。这是一个提高国产化率再重新拉良率的反复且长期的过程，没办法一蹴而就。

所以说大概率这条28nm产线 , 需要3年甚至更多的时间才可能达到100%的国产化率，想达到超过损益平衡的80%良率或许需要10年以上，而这十年需要国家不断的补贴才能存活，然而我们现在谈的只是28nm ，未来14、10、7、5nm我们还得重复这些过程，当然这些追赶过程是动态的，技术攻关也是多条腿同时进行的，如果28nm能实现100%国产，每个制程都全打通了最困难的部分，那后续的追赶时间必然能缩短，甚至这十几年的漫长追赶过程，我们并不需要考虑良率，只要达到能拉通30%的良率就马上推进下一代，因为西方也在推进，如果乐观地预估我们能两年推进一代，以现在的差距也得15年才追得上，但很显然两年推进一代是一个非常困难的艰巨任务，大家必须得明白即便我们可以达成上述这不可能完成的任务，赶上西方也得15年。

作者的比喻最重要的是想大家明白，目前国产芯片设备绝非媒体或者设备商自己宣传那般乐观，比如某厂宣传的刻蚀已经能做到5nm，但这所谓5nm只是刻蚀最容易的普通通孔刻蚀，整个芯片不论前后道制程ICP与CCP一共接近30种刻蚀设备，目前该厂负责CCP，国内的另外一家厂负责ICP ，以5nm来说国产只能做整个刻蚀30种设备中最容易的那一种，剩下29种没法做，以28nm来说目前大约能做15种，目前正在向20种、25种，最终30种攻关，全部30种都能做，我们才算完成28nm的刻蚀设备攻关。所以说，并非如某厂所宣传那般，只有一种5nm刻蚀设备卖给台积电，宣传得好似国产刻蚀设备已经完成5nm刻蚀的攻关，其实不论28还是5nm的刻蚀工艺，目前门槛较高那几种一律还是被LAM、AMAT、TEL所垄断，所谓5nm也只是设备商的宣传套路。