英特尔介绍下一代 GAA 技术，发展堆迭式CFET晶体管架构_风闻

日前，英特尔首次向外界公开介绍其最新的堆迭式 CFET晶体管架构。这是由英特尔技术开发总经理Ann Kelleher在比利时安特卫普举行的 ITF World 2023 上介绍的。这位开发总经理概述了英特尔在几个关键领域的最新发展，其中之一便是英特尔未来将采用的堆迭式CFET晶体管架构。不过，英特尔方面并没有提到具体的量产日期或者时间表。

据外媒报导，在 2021 年的“英特尔加速创新：制程技术和封装技术线上发表会”上，英特尔确认了其 Intel 20A 制程技术上，将导入采用 **Gate All Around（GAA）**技术的RibbonFET 晶体管架构，以取代自2011年就沿用至今的 FinFET电晶体架构。新技术加快了晶体管开关速度，同时在占用空间较好的情况下，达成与多鳍结构相同的驱动电流水准。对此，Ann Kelleher表示，RibbonFET将会在2024年亮相。

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另外，英特尔还展示了下一代GAA技术的堆迭式CFET晶体管架构，允许堆迭8个纳米片，是 RibbonFET使用的4个纳米片的两倍，进而增加了晶体管的密度。CFET晶体管将n和p两种 MOS元件相互堆迭在一起，以达成更高的密度。目前，英特尔正在研究两种类型的CFET晶体管，也就是单片式和顺序式。不过，英特尔目前似乎未确定最后将采用哪一种CFET晶体管，或者还会有其他类型的设计出现。

英特尔表示，大概到2032年，晶体管将演进到5埃米，CFET晶体管架构的类型预计还会发生变化，这将是不可避免的事情。不过，英特尔这次只是概述了其晶体管技术的大概发展路径，并没有做太多详细的分享，预计未来应该还会陆续有更多细节进一步发表。