台积电向美寻求150亿美元建厂补贴 占近3成芯片法案资金_风闻

据华尔街日报（WSJ）报道，台积电正在向美国政府寻求150亿美元的建厂补贴，但反对一些附加条件，如分享超额利润等。市场分析，该金额占美国芯片法案提供补助资金占比近三成，台积电是否顺利取得补助，不仅仍待与美国政府协调，也考验台积电能否在商业利益与政治判断上取得平衡。

援引知情人士报道，台积电对可能要求其分享工厂利润，并提供详细营运资讯的规定，感到担忧，台积电去年12月把亚利桑那州建厂计划的投资规模增加两倍多，攀抵400亿美元，美国芯片法案将提供530亿美元资金，协助美国恢复在半导体领域的制造实力，外界预期，英特尔、台积电和三星都会申请先进制程建厂补助。

知情人士透露，根据美国芯片法案，台积电可望获得约70-80亿美元的税额减免，台积电也正在争取商务部的补助款，希望在亚利桑那州的两座工厂，可分别获得约60-70亿美元的补贴，使来自美国政府的补贴总额达到150亿美元。

台积电19日未回应市场相关传闻，台积电将于今天召开法说会，除了营运展望之外，预料美国布局等相关议题将是会中焦点，台积电已于美国亚利桑那州设立新厂，第一阶段将于2024年量产4纳米，符合美方补助条件，不过，台积电董事长刘德音日前表态，无法接受该法案提供补助的部分条件，还须再讨论，台积公司的目标是减轻这些负面影响，并将继续与美国政府进行协商。

刘德音并未透露无法接受美国芯片法案哪部分的限制，但业界分析，台积电应是对美国商务部所提，申请补助厂商十年内将不得在“受关注国家”，也就是中国进行扩充，其余还包括提出相关商业秘密等给美方，以利查核是否将补助款用于购买库藏股或配发股息等限制用途。

业界分析，由于台积电获补助金额绝不会超过英特尔等美国厂商，台积电有本事不靠申请补助款，与各大芯片厂竞争，这也是台积电握有筹码可以和美国商务部谈条件的凭借。

综观台积电海外布局，不仅美国亚利桑那州厂投资金额扩增至400亿美元，将投入4纳米及3纳米制程生产，并在日本熊本投资建厂，预计2024年底前以28纳米、22纳米、16纳米及12纳米制程生产。