光源还是由中科院微电子所提供，长春所的物镜，上海所的照明，启尔提供浸液_风闻

【本文由“小飞侠杜兰特”推荐，来自《光刻机巨头ASML回应荷兰最新出口管制：并不适用于所有DUV》评论区，标题为小飞侠杜兰特添加】

• 海龙
• 90NM与65NM好像攻克了，但浸没式光刻机还没有攻克。要是这个攻克了，基本28NM甚至14NM都没问题，届时米国的封锁就打破了一个大缺口。

打个不恰当比方，把美帝封锁比喻成列宁格勒保卫战的话，攻克90与65NM相当于在拉多加湖上打开一条生命之路，而攻克浸没式光刻机相当于1943年初“火花”战役取得胜利，初步打破封锁；而如果14NM以下也突破，甚至EUV也国产化的话，那就是列宁格勒-诺夫哥罗德战役（第一次突击）胜利结束，列宁格勒彻底解封。

上海微电子攻关的是28nm浸没式光刻机（02专项），全称是“193nmArF浸入式DUV光刻机”，制程工艺为28nm，对标产品是ASML的2000i，先进程度仅次于ASML另一种DUV光刻机2050i和

EUV。这个消息最早是方正证券披露的。

目前来看，四大系统中的曝光、光源、双工件台都已经实现量产，浸液也快了。有消息说光源还不够稳定，这个不是大问题，今年应该可以验收合格。但是大规模量产恐怕是个问题，因为已经被美国列入实体清单了，一些需要进口的关键零部件只能用存货。

你说的65nm，其实用上微90nm分辨率的干式光刻机就可以实现，通过多次曝光，理论上90nm光刻机甚至能刻28nm芯片，只是良品率太低了（大概只有1%），没有商业应用价值。

同样，28nm光刻机也可以通过多次曝光实现14nm制程和7nm制程，中芯国际就是用进口28nmDUV光刻机通过n+2造出了7nm矿机芯片，如果再加上3D堆叠甚至能达到5nm的效果，但是5nm以下就必须用EUV了。EUV目前也在推进中，02专项二期就是EUV。和DUV差不多，光源还是由中科院微电子所提供，长春所的物镜，上海所的照明，启尔提供浸液，清华朱煜为班底的华卓精科负责双工件台，上微负责总成。其实相关的进度一点也不慢，比如长春所17年就突破了超高精度非球面加工，19年华卓精科研发出来纳米级的气浮运动台，和ASML是全世界唯二掌握这项技术的。只是在这个时间点上，除非已经稳操胜券，否则必须低调再低调。