日本在尖端半导体领域动作频频

目前全球半导体产业局势复杂，多重因素叠加，导致半导体供应链面临很大不确定性。在此背景下，日本近两年在半导体领域动作频频，一方面谋求扩大国内芯片产能、确保供应链安全稳定，另一方面试图再次做大做强半导体产业。

11月11日，丰田、索尼、日本电气、铠侠、三菱日联银行等8家企业共同出资73亿日元成立了一家名为Rapidus的高端半导体公司。日本经济产业大臣西村康稔宣布公司成立消息，并表示政府将向该公司提供700亿日元补贴，以资助其芯片开发及生产。

未来Rapidus将与IBM等欧美公司展开合作，汇聚各方力量，从共同研发入手，重点开发未来经济社会不可或缺、能够瞬间处理大量数据的高端半导体，目标是5年后即2027年量产2纳米以下制程的半导体，将用于超级计算机、自动驾驶、人工智能、智慧城市等领域。

据专家介绍，2纳米以下尖端半导体目前在世界上尚未量产。台积电与三星公司量产的最先进工艺半导体目前是5纳米，2纳米工艺半导体需要全新技术，制造难度更高，是业界争抢的制高点之一。

就在西村康稔宣布Rapidus成立的当天，日本经济产业省还宣布，年内将设立新的研究开发基地，名为技术研究组合最尖端半导体技术中心（LSTC），日本产业技术综合研究所、理化研究所、东京大学等机构都将共同参与，新成立的Rapidus也将参与其中。Rapidus董事长东哲郎兼任LSTC理事长。

媒体称，Rapidus和LSTC将是日本下一代半导体战略的两大支柱。实际上，日本政府去年6月在最新版半导体战略中明确提出，将致力于推动高端半导体研发、吸引制造商在日本国内建立生产基地。

今年4月以来，为了扩大日本国内的半导体产能，日本政府已投入6000多亿日元用于各种补助，仅支援台积电与索尼公司合资在熊本县建设新厂的补贴就高达4760亿日元。此外，铠侠与美国西部数据公司在三重县新建合资工厂获得政府929亿日元援助，美国美光科技在广岛县新建生产设施也获得465亿日元补助。

在研发方面，为吸引台积电在日本筑波市建立研发中心，日本政府今年6月决定拿出190亿日元补贴，支持台积电与日本国内约20家机构共同进行尖端半导体研发。

日本政府11月初批准的本财年补充预算案将促进半导体产业发展列为紧迫课题，为资助高端半导体研发及生产一共计划投入1.3万亿日元。

业内人士指出，日本虽然在存储器、图像传感器等半导体领域市场占有率较高，但高性能计算半导体发展相对滞后。台积电与索尼建设的熊本新厂主要生产300毫米晶圆，将制造12纳米至28纳米级芯片。

专家分析认为，由于日本在尖端半导体技术开发方面起步较晚，与世界先进水平差距较大。而半导体产业拼的就是投资，国家和企业能支撑到什么程度，取决于经济实力和经济形势。尖端半导体最终实现批量生产需要上万亿日元的投资。东哲郎期待日本政府今后能在资金方面给予长期支援。

西部数据负责人表示，在确保生产能力后，如何确保需求成为非常重要的课题。半导体产品升级与最终产品市场需求互为一体，共存共荣。日本即使在国内建立起半导体生产基地，如果没有足够的最终产品需求，生产基地也很难维持下去。