三星首批3nm Gate-All-Around芯片正式出货

*【环球网综合报道】*据外媒7月26日报道，据悉，三星于6月份正式开始使用3nm Gate-All-Around (GAA）工艺制造芯片。今日，三星宣布其此类芯片正式出货。

三星电子于2000年初开始研究GAA晶体管，并于2017年对该设计进行试验。现在它已准备好使用新工艺大规模生产芯片。与多年来一直是标准的FinFET设计相比，Gate-All-Around 设计允许晶体管在保持相对较小的同时承载更多电流。

据三星称，与类似的5nm FinFET芯片相比，3nm GAA芯片的功耗将降低45%，速度提高23%，体积缩小16%。这是针对第一代GAA的流程。此外，三星还表示Gen 2将进一步改进这些指标。但是，三星并没有说明第一批出货的芯片是什么类型的，但该公司确实计划开发使用 3nm GAA设计的智能手机芯片组。

另据韩国商业报道，近日，一位在苹果工作了9年的芯片专家离开了公司，加入了竞争对手三星。报道称，这位名叫Kim Woo-Pyeong的员工在前几年为德州仪器和高通公司工作后，自2014年以来一直在苹果公司工作。在三星，Kim将担任该公司新包装解决方案中心的主管。

苹果和三星之间的竞争依然激烈，两家公司继续在智能手机、智能手表以及AirPods和 Galaxy Buds等配件领域争夺客户。鉴于两家公司之间的合作和竞争关系，有媒体报道称三星从苹果公司的最新招聘“有些不同寻常”。尽管存在竞争，三星和苹果还是合作，尤其是在OLED显示器方面。