三星首次推出全新UFS 4.0闪存 读速达到4200MB/s或UFS 3.1的两倍

三星今天公布了最新的移动存储解决方案标准 - 通用闪存（UFS）4.0。新的UFS 4.0规范承诺将移动闪存媒体存储的性能提高一个档次，将读取速度提高到4200MB/s，或基本上是目前可用的UFS 3.1标准的两倍。 同时，写入速度从1200MB/s提高到2800MB/s，三星说它的实际表现会是上一代的1.6倍。

需要注意的是，这里所指的读和写的性能数字都是针对顺序传输的，所以随机读和写的速度可能会更慢。

三星能够实现这一巨大的速度提升，要归功于UFS 4.0的每秒23.2Gbps的通道传输率与第七代V-NAND（垂直NAND）闪存技术的搭配，该技术由高达176层组成。而在容量方面，三星表示，UFS 4.0将有高达1TB的版本。

有趣的是，UFS 3.1也拥有类似的容量，因此有可能当技术进一步成熟时，UFS 4.0可能允许超过1TB的容量。但现在，1TB的超高速内部存储元件应该足够了，即使是最昂贵的手机也罕有超过1TB的。

三星同时还表示，UFS 4.0比UFS 3.1省电46%，因为它能够提供每毫安培（mA）6.0 MB/s的连续读取速度，这是目前移动设备当中表现最好的，所有这些存储空间、性能和电源效率的优势都将封装在一个仅有11毫米x13毫米x1毫米的紧凑尺寸内。

在可用性方面，UFS 4.0的大规模生产计划在2022年第三季度进行，这意味着我们可能会在2022年底或2023年初开始看到采用这一标准的手机。