台积电首推2纳米制程技术，或将于2025年量产

台湾《联合报》6月17日报道称，台积电于美国当地时间16日举办2022年北美技术论坛，首度推出采用纳米片晶体管之下一世代先进2纳米（N2）制程技术，以及支援N3与N3E制程的独特TSMC FINFLEX技术，外界推测其将成为全球第1家率先提供2纳米制程代工服务的晶圆厂。

台积电在北美技术论坛揭示以下主要技术焦点：支援N3及N3E的TSMC FINFLEX技术。这项技术平台，除了涵盖台积电即将于今年下半年量产的3纳米（N3）技术，并将搭配创新的 TSMC FINFLEX架构。

据了解，TSMC FINFLEX技术，是在开发3纳米时，同时让2纳米（N2）获得重大突破。这项技术提供多样化的标准元件选择：3-2鳍结构支援超高效能、2-1 鳍结构支援最佳功耗效率与晶体管密度、2-2鳍结构则是支援平衡两者的高效效能。

台积电表示，TSMC FINFLEX架构，能够精准协助客户完成符合其需求的系统单晶片设计，各功能区块采用最优化的鳍结构，支援所需的效能、功耗与面积，同时整合至相同的芯片上。

台积电强调，在相同功耗下，2纳米的速度增快10~15%，或在相同速度下，功耗降低25~30%，开启了高效效能的新纪元。

2纳米采用纳米片晶体管架构，使其效能及功耗效率提升一个世代，协助台积客户实现下一代产品的创新。除行动运算的基本版本，2纳米技术平台也涵盖高效能版本及完备的小芯片（chiplet）整合解决方案，并预定2025年开始量产。

除台积电外，三星和英特尔也在布局2纳米芯片制造。其中，三星芯片代工业务的高管曾在去年10月透露，该公司有望在2025 年下半年使用其2纳米制造工艺量产芯片。英特尔则在今年4月透露，预计下一代Intel 18A制程（相当于1.8纳米）将提前在2024年下半年投产。