“拳头产品”亮相进博会 三星半导体科技实力尽显_风闻

2亿像素CIS(CMOS图像传感器)、基于EUV技术的14纳米DDR5内存……进博会三星展台入口处的3D裸眼大屏上，代表晶圆代工、存储芯片等全球前沿科技水平的产品影像轮流播放，吸引了大量科技爱好者的目光。在展区现场，三星展出的晶圆吸引众多参观者打卡留影，5nm SoC（系统级芯片）、128层NAND（计算机闪存设备）、第六代显存、车用CIS等高端产品也成为人气展品，彰显出三星在高端装备制造领域的强大技术实力。

第四届进博会三星展台

今年是三星第四次参加进博会，也是三星首次从消费品馆转移到技术装备馆参展。在本届进博会首次设立的集成电路专区，三星作为全球领先的半导体企业，是该专区最大的核心参展商之一，通过对技术创新实力的全面展示，透射出对信息产业发展的重要支撑。

领先技术支撑前沿创新

第四次参展进博会，三星向产业链上游溯源，展示了面向消费电子、大数据、移动通信、人工智能、车载等热点应用和新兴产业的半导体技术。

在推出两款5nm EUV手机SoC之后，三星将最先进制程拓展到可穿戴应用领域，扩展了智能终端的应用范围。本届进博会，三星展出的Exynos W920是全球首款基于5nm EUV工艺的可穿戴芯片组，搭载了两个ARM Cortex-A55内核和ARM Mali-G68 GPU，兼顾了能效与任务处理需求。与上一代产品相比，其CPU性能提升20%，GPU图形性能提升近10倍。此外，Exynos W920还采用了FO-PLP（扇出型面板级封装）技术，是目前可穿戴设备领域中最小的封装。

三星首款2亿像素分辨率图像传感器

影像能力已成为旗舰手机进行差异化竞争的主要路径。在推出业界首款超1亿像素CIS之后，三星又率先踏入2亿像素时代。本次展出的移动图像传感器ISOCELL HP1拥有2亿像素，单位像素0.64微米。面向暗光等重要使用场景，ISOCELL HP1可将16个相邻的像素合并成大像素吸收更多光线，拍出明亮清晰的照片。针对消费者对手机超高清影像创作的需求，ISOCELL HP1支持30fps 8K视频拍摄，通过合并4个相邻像素，将分辨率降低至50Mp或8192×6144，无需裁切或缩小全图像分辨率。

随着全球数据量以指数级增长、数据类型逐渐多元，数据处理需要更加安全、高效的存储和读取技术。本届进博会上，三星展示了多款面向大数据业务的存储产品。

三星首款基于14纳米技术的DDR5内存

DRAM是最为常见的系统内存，存储速度快、存储容量大，在计算机中常作为主存储器。三星展出的14纳米DDR5内存，是业内首款基于14纳米EUV技术的DRAM产品，容量可达512GB。与普通DDR4相比，功耗降低20%，频率可达7200MHz，能满足超级计算机、机器学习、人工智能等方面的需求，并通过提高性能和降低功耗，满足IT行业对绿色发展的要求。

三星新一代企业级SSD硬盘PM9A3系列

NAND闪存方面，三星展出了新一代企业级SSD硬盘PM9A3系列，使用三星第六代V-NAND闪存技术，容量最高达7.68TB，速度可达6500MB/s，存储一部5GB的高清电影仅需约0.7秒，对需要高速处理大容量数据存储的用户及企业来说，可大幅提升工作效率。

面向AI时代对超高速处理速度的需求，三星展示了针对AI效率提升的存储产品。代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片，容量是上一代8GB“Aquabolt”HBM2的两倍，速度提高1.5倍，AI训练效率提高6倍，同时可显著提高带宽及电源效率，这将极大提升下一代计算机系统的性能。

在汽车电子方面，ISOCELL Auto 4AC是三星专为汽车客户提供的首个集成式成像解决方案，可提供120分贝高动态范围图像并同时支持发光二极管闪烁抑制功能，适用于高清分辨率的车载环视影像系统或后视摄像头，目前已大规模量产。

为信息技术产业提质增效

半导体技术迭代带来的更高性能、更低功耗，是信息技术产业向前发展的动力源泉。三星电子的触角能伸向消费电子、智慧家居、新型显示、数据中心、移动通信、机器人等信息技术产业的方方面面，起到筑基作用的正是三星半导体。面向5G、AI等密集型任务带来的性能挑战，三星半导体通过逻辑代工、存储、手机AP等多方面业务，持续赋能产业的创新发展。

半个世纪以来，摩尔定律始终是半导体技术进步的节拍器，其最直观的表现就是制程节点的跃迁。三星的代工业务起步于2005年左右，基于高端定位、技术投资以及与客户企业的合作开发，三星抓住了通信产品迅速发展的东风，实现了技术赶超。2017年，三星成立了独立的代工部门。2018年，三星晶圆代工业务已稳居全球前列。

从HKMG到FinFet（鳍式场效应晶体管）再到3nm节点的全新架构GAA，三星一方面率先导入新架构，另一方面持续对原有架构进行优化，满足低、中、高端市场各类应用的能耗改善需求。三星在2021晶圆代工论坛宣布，计划2022年上半年量产首批3纳米芯片，2纳米芯片预计2025年批量生产。三星3nm GAA工艺与5nm工艺相比，芯片面积减少35%、性能提高30%、功耗降低50%。同时，三星发布了新的17nm工艺，是对主流FinFet架构的工艺强化。相比28nm工艺，17nm工艺实现了39%的性能提升和49%的功率效率提升。

计算与存储密不可分，AI、车联网等强实时性技术，尤其对存储器的连接和处理速度提出了更高要求。三星的存储器布局始于20世纪80年代，通过技术吸收创新、逆周期投资，以及研发与生产紧密结合的“并行开发体系”，在十年间实现了技术反超，并至今保持在存储领域的绝对优势。如今，在DRAM、NAND、Nor Flash三大主流存储器产品中，三星在前两者的市占率均为全球第一，成为存储器技术升级与产品迭代的风向标。

在DRAM领域，三星率先量产第二代、第三代10nm级产品，并率先将TSV、EUV技术用于DRAM生产，为业界提供超高速、超省电的存储器产品，满足5G、AI等高吞吐率技术的发展需求及数据中心等IT设施对能源效率的需求。NAND方面，三星首创的V-NAND技术，不再缩小cell单元来实现容量提升，通过堆叠更多层数的垂直存储，使SSD实现更高的存储密度、写入速度以及更低的功耗。三星计划于今年下半年推出基于双堆栈的176层第7代 V-NAND，满足5G智能手机、5G PC、IDC的存储需求。

三星新款 5nm 移动处理器 Exynos 1080

面向5G等下一代新兴技术，三星推出了5G调制解调器、NPU、创新的LPDDR5等多种半导体技术。三星新款5G处理器Exynos1080、Exynos2100采用当前最先进的5nm EUV制程，并集成了NPU内核，以支持智能语音助理识别、智能摄影等AI增强功能。三星的LPDDR5作为 12 Gb移动 DRAM，将51.2 Gbps高传输速度与节能设计相结合，以低功耗、高速互联满足下一代通信产品需求。

为强化在中国产业链、创新链的参与深度，三星近年来还深化了与中国本土企业的合作。三星的1.08亿像素CIS与小米联合研发，Exynos980和Exynos1080与vivo联合研发，最终使智能终端产品更加贴近国内客户企业和用户群体需求。

龙头效应牵引本地产业集群

半导体是设计和制造过程都非常复杂的产品，对技术的超高要求及不断扩大的应用需求，导致了该行业高度专业化的全球供应链结构。各国根据相对优势，在整个链条中发挥出不同作用。在半导体产业领域，中国虽然拥有庞大的客户市场和丰富的人力资源，但中国市场更需要龙头半导体企业发挥出带动作用和资源整合能力，从而打造独特的发展引擎。

三星西安半导体工厂车间

2012年，三星在西安投建了全球最先进的存储芯片项目，至今已累计投资近260亿美元，成为了改革开放以来中国电子信息行业最大的外商投资项目。而伴随着三星半导体工厂的落户，几百家相关配套企业进驻西安，对当地的半导体产业链建设产生了强力的带动作用，也让西安逐步形成了过千亿元的半导体产业集群。

外资企业本土化与本土企业国际化同为全球化的两个重要趋向。在中国努力构建“双循环”新发展格局的大背景下，三星紧抓机遇，成为推动中国电子信息产业发展的重要力量，一方面持续加大在华半导体等尖端元器件领域的产业投资，另一方面，深度融入、参与中国产业链的建设和发展。

进博会上，三星展现的半导体产业链及代表性产品只是冰山一角，凭借持续不断的迭代式创新，三星正开启未来发展的新格局，中国无疑是重要市场。