Rambus在三星解决方案扩展其高性能内存产品_风闻

支持需要TB级带宽的加速器，用于人工智能/机器学习（AI / ML）训练应用 完全集成的HBM2E内存接口子系统，由经过验证的PHY和控制器组成，在先进的Samsung 14/11nm FinFET工艺上经过硅验证 拥有无与伦比的系统专业知识作为后盾，为客户提供中介层和封装参考设计支持，以加快产品上市时间中国北京2021年5月25日—— Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）作为业界领先的芯片和IP核供应商，致力于使数据传输更快更安全。今天宣布推出Rambus HBM2E内存接口子系统，该子系统包括一个完全集成的PHY和控制器，在三星先进的14 / 11nm FinFET工艺上经过硅验证。 通过利用30多年的信号完整性专业知识，Rambus解决方案的运行速度高达3.2 Gbps，可提供410 GB / s的带宽。 这种性能满足了TB级带宽加速器的需求，此类加速器针对性能要求最为严苛的AI / ML训练和高性能计算（HPC）应用。

三星电子设计平台开发副总裁Jongshin Shin说：“我们与Rambus的合作将业界领先的内存接口设计专业知识与三星最尖端的工艺和封装技术结合在一起。AI和HPC系统的设计人员可以使用HBM2E内存实现平台设计，利用三星先进的14 / 11nm工艺，以达到无与伦比的性能水平。”

完全集成的，可投入生产的Rambus HBM2E内存子系统以3.2 Gbps的速度运行，为设计人员在平台实现上提供了很大的裕量空间。 Rambus和三星合作，通过利用三星的14/11nm工艺和先进的封装技术对HBM2E PHY和内存控制器IP核进行硅验证。

Rambus IP部门总经理Matt Jones表示：“由于硅片的运行速度高达3.2 Gbps，客户可以为自己的设计留出足够的余地来实现HBM2E存储器子系统。客户将受益于我们的全面支持，其中包括2.5D封装和中介层参考设计提供，有助于确保客户一次到位成功实现。”

Rambus HBM2E内存接口（PHY和控制器）的优点： 

通过单个HBM2E DRAM 3D器件实现每引脚3.2 Gbps的速度，提供410 GB / s的系统带宽硅HBM2E PHY和控制器完全集成并经过验证，可降低ASIC设计的复杂性并加快上市时间作为IP授权的一部分，提供包含2.5D封装和中介层参考设计提供Rambus系统和SI / PI专家的技术支持，帮助ASIC设计人员确保设备和系统的最大信号与电源完整性具有特色的LabStation™开发环境，可协助客户回片后快速点亮系统,校正和侦错支持高性能应用程序，包括最先进的AI / ML训练和高性能计算（HPC）系统