韩媒指华为要求稳定内存供应，三星、海力士出面否认

（文/观察者网 吕栋）5月24日，《韩国经济日报》披露，在美国政府“封杀”再次升级之际，华为已要求韩国三星电子和SK海力士维持稳定的内存芯片供应。

然而，彭博社今天（5月25日）报道称，两家韩国公司均对上述报道予以否认。

目前，中国在DRAM（动态随机存储器）和NAND Flash（闪存）两大存储器领域主要依赖进口。国产替代方面，长江存储成功研发128层3D NAND，长鑫存储发布了DDR4、LPDDR4X内存。

报道截图

“华为正迅速建立库存”

5月24日，《韩国经济日报》引述业内人士消息报道，尽管美国政府近期升级了制裁，但华为还是召集了三星电子和SK海力士在中国子公司的高层，要求稳定内存芯片的供应。

但是一天后，据彭博社报道，这两家韩国公司的发言人周一均否认了韩媒的报道，三星表示没有举行过与华为的会议，而海力士则没有透露详细信息。

彭博社报道截图

报道指出，华为是三星和SK海力士的五大客户之一，每年花费约10万亿韩元（约合人民币574.5亿元）从韩国公司购买DRAM和NAND闪存芯片。

值得注意的是，在美国政府禁止任何使用美国设备的芯片制造商，未经其许可不得向华为供应芯片后，全球供应商面临的压力越来越大。

报道中提到，虽然存储芯片制造商不受美国限制，但华为担心以后制裁范围可能会被扩大。由于三星电子和SK海力士供应全球超过70%的DRAM内存芯片，美国将其纳入制裁范围势必将威胁华为的正常运营。

《韩国经济日报》引用业内人士的话称，华为正在迅速建立存储芯片库存，以备不时之需。

值得一提的是，就在一周之前（5月18日），三星电子副会长李在镕还前往西安视察其在海外唯一的存储器生产基地。该基地二期项目建成后，将成为全球规模最大的闪存芯片制造基地。

国内厂商仍在追赶

存储器一直是中国集成电路产业的短板。海关总署数据显示，2019年中国集成电路进口额3040亿美元。其中，存储器进口额947亿美元，同比下降23.1%，但占比仍达31.1%。

不过，国内存储芯片厂商也在制程工艺上逐步推进。

在NAND Flash方面，行业调研机构集邦咨询4月22日的报告指出，长江存储已在第一季度将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商，目标第三季进入投片、年底前量产，拟用于UFS、SSD等各类终端产品，并同时出货给模组厂。

2019年第四季度全球NAND闪存市场营收数据，三星、铠侠、美光、海力士等国外厂商占据份额超99%

根据该报告，NAND Flash各供应商在1XX层的产品世代已有分歧，尽管三星、SK海力士已推出128层产品，但铠侠/西数、美光、英特尔的112/128/144层产品要到下半年才会放量，相比前几代3D NAND产品的发展进程来得更久，有利于长江存储128层产品迎头赶上。

除此之外，报告指出，去年NAND Flash价格平均跌幅达46%，导致主要供应商陷入亏损，资本支出转为保守，产出增长规划亦创下历史新低，这也让长江存储有了拉近差距的机会。

图片来源：集邦TrendForce

在DRAM方面，合肥长鑫存储自主研发的DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片、DDR4模组等产品已亮相其官网。据其介绍，相较于上一代DDR3内存芯片, DDR4内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗，可应用于PC、服务器、消费电子类产品等领域。

长鑫存储官网截图

观察者网去年12月曾报道，长鑫存储宣布成为国内唯一一家DRAM生产商。该公司已经完成合肥Fab 1及研发设施建设，计划在今年第二季度将产能提高1倍，达到每月4万片，约占全球产能3%。

与国外厂商进度对比来看，今年2月，美光6GB、8GB和12GB容量的LPDDR5内存已出货给客户，三星16GB LPDDR5也于同月量产，而长鑫存储10nm级第一代8Gb DDR4去年9月才首度亮相。

2019年第四季度全球DRAM厂商营收排名，三星、海力士、美光合计占据95%的市场份额 数据来源：集邦咨询

（编辑：尹哲）

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