博士、功臣、叛将、技术国宝，梁孟松是谁？_风闻
财经无忌-财经无忌官方账号-独特视角记录时代冷暖2020-12-19 23:16
文 | 月落乌堤
对胡正明来说，梁孟松可以说是他最得意的弟子，是梁孟松将他的技术实现真正的应用；
对蒋尚义而言，梁孟松可能是他最好的技术搭档，也是其最大的竞争对手；
对于整个台积电，梁孟松是十七年元老功臣，是技术奠基人之一，也是技术叛将；
对于三星电子的晶圆代工，梁孟松则是其发展的技术巨擘，支撑起了三星的代工之梦；
而在中芯国际，梁孟松则是真正冲击先进制程的舵手。
而今，一则人事任命，一封辞职函，将这个背负太多标签的老人，又一次从幕后推到前台。
起于AMD
1987年4月，AMD向英特尔发起了一场关于X86架构知识产权的诉讼，诉讼的原因是，英特尔单方面撕毁了双方在1876年达成的一项关于专利授权的长期协议，这份协议，涉及到英特尔与AMD之间关于X86架构的专利，或者可以直接说，涉及到AMD采用英特尔的X86架构来设计处理器。
在发起这场诉讼的两年前（1985年），AMD启动了一项名为“自由芯片”的计划，这一计划的目的，就是要打破英特尔对于X86架构的垄断，从而使X86架构的使用者能更方便的利用其专利及指令。然而在该计划启动后，英特尔便与AMD反目，此时的英特尔，才挥泪将自家的DRAM部门砍掉，宣布退出DRAM市场，力求自保的英特尔，当然不愿意让自己的核心技术被AMD吃掉。
AMD的诉求是要求法院判定英特尔撕毁协议违约，AMD方面将继续使用并更新基于X86架构的服务器。今天，几乎所有的消费者都知道，在桌面级处理器方面，仅有英特尔与AMD两家，而AMD争取到的市场地位，从知识产权的角度看，起始于1987年的这次诉讼。
1991年，在与英特尔的官司还没有结束的情况下，AMD率先推出了新一代基于X86架构下迭代的处理器：AM386，同时期，英特尔的80386也已经推向市场。在AMD“自由芯片”的计划中，另外一个方向就是闪存，在AMD的存储器研发团队中，有一个来自于加州大学柏克莱分校的博士：梁孟松。
1992年2月，AMD在对英特尔的诉讼中获得胜利，与之一并获得的，是基于X86架构的芯片的生产权利，包括已经推出的AM386。但是，他们的闪存，还在紧锣密鼓的研发之中。
梁孟松没有等到1993年4月，AMD闪存的量产，在赢得诉讼后不久，梁孟松便离开了AMD。他要去的，是远在台湾的张忠谋和刚刚成立了“光照电子束作业部门”的台积电，这个部门，是台积电整个技术的核心。此时的台积电，最先进的晶圆二厂B投产，但是还在为获得英特尔的订单而努力。
技术立身转投台积电
在回台之前，梁孟松在AMD，已经取得了很大的技术成就，美国专利及商标局的资料显示，梁孟松参与发明的半导体技术专利达181件之多，均为最先进和最重要的关键性基础技术研究，有他署名、发表的国际性技术论文高达350余篇。
带着工程师、科学家的身份返台的梁孟松，自然成为了台积电技术研发的猛将。
1993年，台积电通过了ISO9001认证，这是台湾地区第一家获得该认证的半导体公司。随后不久，在英特尔这个最用心的老师的教导下，台积电凭借强大的执行力和张忠谋与时任英特尔CEO格鲁夫的个人关系，成功获得了英特尔落后制程的部分代工产能，这对于台积电来说，是当时最大的进步，意味着“代工”这一环节，得到了芯片公司的认可，借此，台积电才真正的建立起这一细分市场。
之后的台积电，在英特尔与IBM为首的美国高科技公司建立起来的技术壁垒下，缓慢生长，萎缩发育着。
在台积电，梁孟松职位是工程师、资深研发处长**，这一时期，他是台积电近500个专利的发明人，这一数据远多于其他研发部门的同时；而他本人则负责或参与了台积电之后每一个代次制程工艺的研发，这些制程工艺的推进，是台积电保持“制程领先”的基础；同时，梁孟松是台积电“新制程设备遴选委员会”之一，据外部猜测，这一组委会成员，非常稳定，是台积电主要的决策层，人数从来不超过9人。**
真正让梁孟松扬名的，是130nm制程工艺的战争。
获胜的制程战争
二十世纪90年代中期，在摩尔定律的发展中，以英特尔领头的芯片业界普遍认为，以现有的半导体技术，如果严格遵循摩尔定律，那么，半导体制程工艺发展到25nm节点时，将出现一个新的生产制造瓶颈。简单说来，这个瓶颈就是制造技术上难以满足25nm及以下制程工艺，以及后续的先进制程，均有可能得不到延续。
1998年，加州大学伯克利分校胡正明教授在美国国防部高级研究项目局（Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA）的资助下，带领自己的技术团队，对CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）晶体管工艺技术的拓展进行研究，他们研究的目的，是如何将晶体管的密度制程，提高到25nm。
胡正明教授在三维结构的MOS 晶体管基础上，进一步提出了自对准的双栅MOSFET结构（Double gate structure Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，双栅金氧半场效晶体管）。
随后，胡教授及其团队成员发表了有关Fin FET晶体管（Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管）(1999年发布)和UTB-SOI技术（Ultra Thin body and BOX-Fully Depleted-silicon on insulator，UTBB-FD-SOI，超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅）(2000年发布)，并于当年制造出来基于该技术的晶体管，它的栅长度只有 17nm，沟道宽度 20nm，鳍（Fin）的高度 50nm，这是全球第一个25nm以内的晶体管，胡正明实现了他们的研究目的。
**这一技术的发明与应用，同时解决了晶体管漏电和动态功率耗损问题，使芯片内构由水平变成垂直向上发展，是40多年来半导体领域最大变革。**最为主要的是，它解决了25nm及以下制程的制造，这个技术的突破，可以说一举奠定了接下来二十年或者更长时间内芯片制造行业的基础。
与此同时，在2000年前后，由英特尔与IBM主导的芯片制造技术，也在这一阶段前后，获得了突破。在从“铝介质”转向“铜介质”，从180nm向130nm制程突破中，IBM再次取得领先。
IBM试图以铜介质的130nm制程作为筹码，继续统治整个芯片的制造环节，IBM最先找到的，是台湾地区的两大代工巨头：台积电与台联电。最终，台联电选择了IBM的技术路线，并率先通过该技术，实现了130nm制程的量产。
而台积电，则选择了婉拒，他们要“技术自立”，就只能另起炉灶，正是这次婉拒，拉开了台积电“制程领先”战略的制程战争。
胡正明的到来，与梁孟松的合璧，使得台积电在Fin FET和UTB-SOI技术的利用上，如虎添翼。他们引入了Low-K Dielectric（低介电质绝缘）技术，选择直接跳过150nm，直接进入到130nm制程，最终，台积电成功了。凭借130nm制程的自主和量产，台积电在先进制程中，实现了从落后以IBM为代表的大联盟两个代次，到并驾齐驱，之后，台积电逐步将IBM及其身后的联盟，逐步在之后的发展中实现领先。
2003年，台积电以自主技术击败IBM，一举扬名全球的130nm“铜制程”战役，台积电在胡正明的带领下，获得了巨大的成功。之后，参与这一技术研发，并接受行政院表彰的台积电研发团队中，当时负责先进模组的梁孟松排名第二，贡献仅次于他的上司，资深研发副总蒋尚义。
这场表彰会上，并没有胡正明的身影，不久之后，胡正明从“台湾第一CTO”的位置上退下来，他选择了回校任教，而他的学生梁孟松，则继续为台积电而努力。
2004年12月，台积电发布使用浸润式曝光（Immersion Lithography）技术，突破了90nm制程，浸润式曝光技术，采用以水为介质的浸润式曝光机，改写了全球半导体产业。该技术的使用，使得摩尔定律（Moore’s Law）得以延续。
2005年，台积电继续往前推进制程领先，成功试产65nm制程，并于2006年成功通过65nm制程技术的产品验证，并针对客户需求率先推出低耗电量（Low Power）制程技术。之后，更迅速推出不同产品应用的65nm制程。
65nm制程技术是第三代同时采用铜制程及低介电质技术，与前一代次的90nm制程技术相较，其晶体管密度增为两倍。
看起来，台积电的一切都进行得顺风顺水，但是，一场人事风暴，马上就要到来。
晋升失败，让位出走
2005年6月，张忠谋辞去台积电CEO职务，将权杖交予其一手培养起来的接班人蔡力行，他自己则当起了台积电的“精神领袖”，但是，几乎所有人都知道，真正做决策的，依旧是他张忠谋。
**2006年，加入台积电9年，年满60岁的蒋尚义，选择了“退休”，但实际上是“接班”无望，选择让位。**在接替余振华做了一段时间的COO后，此时蒋尚义的职位还是研发副总，在台积电是仅次于CEO的实权人物。
蒋尚义的退休，使台积电出现了一定的权力真空，原本最被看好接替这一职位的人，是梁孟松。
与梁孟松一起竞争这一位置的，是同为技术处长的孙元成。
更令人想不到的是，真正接替蒋尚义的，是英特尔的技术研究发展的副总罗唯仁，罗唯仁的到来，一方面是台积电被资本裹挟的结果，另一方面，这真的是一步臭棋。
为了使这步臭棋能走下去，台积电设立了名为“Two in a Box”的研发策略，即设置两个研发副总的职位，当人们以为另一个位置会是梁孟松的时候，孙元成却成为了最后的人选，而梁孟松则被调任为基础架构的专案处长。
要实现“先进制程”的理想，调去做基础架构专案，对于梁孟松来说，这意味着“被弃用”，对于一个满怀理想的科学家来说，弃用意味着结束，这是谁都无法面对和接受的。
梁孟松在后来回忆这段经历的时候，这样“哭诉”道：
“大家都知道我被下放了，被冷落了，我也不敢再去员工餐厅，我怕见到以前的同事，以前的同事也怕见到我，我觉得非常丢人，没脸见人，我对台积电付出了那么多，他们最后就这么对我，把我安排去一个像冷宫一样的办公室。”
与梁孟松不同，蒋尚义一直是先进封装（基础架构）的拥护者之一。在进入中芯国际后，蒋尚义表示，其决定加入中芯国际的关键是，中芯国际有先进封装的基础，同时先进制程技术已经推进至14nm、N+1、N+2，能够实现其在先进封装和系统整合方面的梦想。他说：
“我只是很单纯的工程师，我有权利追求我的理想和事业的目标，尤其是技术上的理想。”
蒋尚义在退休后，对台积电人事任命发表评论时说：
“我相信他（梁孟松）有相当大的期望，我离开时，他（梁孟松）会是其中一个（研发副总）。”
即便没有获得自己想要的，但是梁孟松仍旧选择了继续在台联电效力。此时的台积电，正在全力冲刺45nm制程，最终，台积电在2007年，实现了45nm的量产，2008年，实现了40nm的量产。这两个制程的突破，让台积电再次领先，并在金融危机前后，一举奠定了全球第一的位置。
然而，技术的领先和推进，没有给梁孟松带来想要的结果，在台积电推进32nm/28nm制程节点的重要时刻，梁孟松选择了辞职。
2009年2月，梁孟松正式离开了工作了17年的台积电。
在台积电，梁孟松是真正的技术上的功臣元老，台积电的“制程领先”战略，离不开梁孟松“先进制程”的技术发展理念，这一理念，在后来梁孟松的工作中，一直是其信条。
这个危机，就是迟迟无法在32nm/28nm制程节点实现突破。
为了解决这个问题，张忠谋对退休三年的蒋尚义发出了邀请，邀请他回到台积电，领导新成立的“技术研究发展组”，而这个组织，是为蒋尚义继续领导研发部门量身定做的。
虽然蒋尚义跟随梁孟松再次回归，但是台积电的32nm/28nm制程，依旧比预计的时间节点，晚了一年多才量产，原本计划在2009年年底的节点，硬生生地推迟到了2011年年中。
外界认为，梁孟松的辞职，是导致台积电在这一制程研发的时间节点上，出现推迟的直接原因。
而张忠谋召回蒋尚义，目的之一就是接替梁孟松的工作，继续推进这一制程的研发工作，为了让已经“退休”的蒋尚义回来有一个冠冕堂皇的理由，台积电甚至处心积虑地设置了这样一个办公室。
投奔三星，成就地位
2009年8月，就在张忠谋召回蒋尚义的同时，梁孟松选择了离开，他的目的地，是韩国，去韩国还有一个原因，就是他韩裔妻子、同为半导体工程师的召唤。他到韩国后，其公开的身份是：
成均馆大学教授。
对于这个大学，公开信息所显示，是三星集团的直属大学。
但是梁孟松真正任教的地方，是三星集团内部的企业培训大学——三星半导体理工学院（SSIT）。而梁孟松所教授的学生，无一例外，都是三星集团高级的半导体资深工程师。
梁孟松并没有马上入职三星集团的原因，与台积电的竞业协议不无关系，离职后，梁孟松告知张忠谋，其将回“国立清华大学”，并陪伴双亲，为了使梁孟松离职后不去其他竞争对手那里工作，台积电给所有台积电离职的高级技术工人，都附加了“金手铐”条款：
约定将股票红利的50％交给台积电的境外公司保管，辞职后两年内若为竞争者工作，视为放弃未发放股票。
在梁孟松离职时，再度签约确认了“金手铐”条款。在台积电17年，梁孟松薪资及股票及现金红利，合计高达6亿2693万台币。
2010年5月，台积电通知梁孟松，说见报纸报导他已加入三星，将视为违反竞业禁止条款，股票将照规定全数捐给台积电基金会。
梁孟松立刻回信告诉说：
“过去不曾，现在没有，未来也不会，做出对不起公司的事。”
最终，台积电将合计73万7千7百多股，换算现今市价超过一亿元的股票，分三次发放给梁孟松，在获得股票的两个月后，梁孟松对外宣布正式加入三星电子，担任LSI部门技术长，同时也是三星晶圆代工的执行副总。
坊间传闻，三星给梁孟松的条件是：
一、签约3年，薪酬是梁孟松在台积电10年能赚到的钱；
二、动用行政专机，用于载他和其它台积电前员工往返台湾和韩国；
三、三星晶圆代工技术研发的绝对控制权和决策权。
在三星，梁孟松终于迎来了，他对于“先进制程”的追求得到的回报。
当时三星正在处于一个由28nm制程向20nm制程的研发过程中，但当晶体管的尺寸小于25nm以下时，传统的平面场效应管（Planar field effect transistor/Planar FET）的尺寸已经无法缩小，在这种情况下，胡正明博士发明的，通过梁孟松在台积电推动的Fin FET技术，将场效应晶体管实现三维立体化。而此时的三星，对于此技术的研发及利用毫无任何经验可言，在台积电、英特尔取得不断进步的时候，三星在技术推进中则显得举步维艰，根本无法达成任何突破。
梁孟松接手后，在技术研发上力排众议，要求三星放弃现有的20nm制程的研发，因为即便是研发出来，也已经跟不上台积电甚至英特尔的技术。他建议三星直接由28nm制程，跨越到14nm制程。
这意味着，三星的制程研发，将跳过代次的20nm/22nm制程和半代次的16nm/18nm半节点制程，一次完成三代四级的制程工艺迭代。
这在今天看来，几乎是不可能完成的任务，其难度可想而知，但是梁孟松做到了，在获得三星“赌命式”的全力支持后，终获成功。
2014年，三星14nm制程量产，其量产时间，比台积电早了约半年，而且台积电在半年后推出的制程，是落后14nm半个代次的16nm。
三星，在与英特尔、台积电的竞争中，第一次获得了领先，这半年的时间，让三星获得了巨大的商业收益。
凭借14nm制程的领先，苹果A9处理器的订单从台积电被三星抢走，同时，三星还拿下了高通骁龙的大单。在此之前，苹果处理器的订单都是台积电一家独吞，在此之后，苹果有了与台积电议价的筹码，仅仅被三星抢走的苹果订单，就使台积电损失10亿美元（约314亿新台币）。
2011年10月，在梁孟松宣布入职三星两个多月后，台积电对梁孟松发起了长达四年的法律诉讼，以阻击和围剿三星的进步及梁孟松的前途。
其证据是一封邮件，这封邮件是胡正明的太太（也就是梁孟松的师母）在给胡正明筹备生日的过程中，发给胡正明的学生的邮件。在这些收件人中，梁孟松收件邮箱是[email protected]，台积电以此证明，梁孟松在竞业禁止期结束前，便在三星工作。
台积电向法院请求：
一、不得泄漏其任职台积电期间所知悉的营业秘密；
二、不得泄漏台积电研发部门人员的相关信息予韩国三星电子；
三、禁止梁孟松在2015年12月31日前，以任职或其他方式为三星提供服务。
公开信息显示，从2005到2009这五年中，三星电子的年代工营收不足4亿美元。到2010年开始代工苹果公司的苹果A系列处理器（包括从A4到A7），代工营业收入猛增，2010年整体代工收入激增至12亿美元（其中苹果A系列处理器产品代工收入达8亿美元）。2013年达到39.5亿美元。
除了带领三星研发团队取得早期成功之外，实际上梁孟松的指导，对三星后来独自发展技术路线，也具有相当大的影响，韩国也因此打进少数玩家才能加入的晶圆代工俱乐部中。
2015年8月24日，智慧财产法院第二审合议庭，台积电对梁孟松所提出的三项请求，全部获判胜诉。
在此之前的2013年，蒋尚义再次从台积电退休，他退休后，留给了台积电丰厚的技术资产：
蒋尚义“牵头了250nm、180nm、150nm、130nm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm及16nm Fin FET等关键节点的研发，使台积电的行业地位从技术跟随者发展为技术引领者。”
而梁孟松这段时间留给台积电的，则只剩下“叛将”两个字。
在这场诉讼庭审宣判后，梁孟松的律师顾立雄说：
“不管大家如何看三星，但梁孟松只是个孤零零的个人，空有一身长才，被台积电冷冻，他只好离职；这个案子，梁孟松要追寻的只是保障他宪法上基本应有的工作权。”
指导中芯国际向上突破
2017年10月，在中芯国际与梁孟松长达一年多的反复接触和沟通后，梁孟松选择在与三星的契约结束之后，接受了中芯国际的邀请。
2017年10月16日，中芯国际召开临时董事会，正式宣布梁孟松出任中芯国际联合首席执行官（Co-CEO）兼执行董事，和5月10日刚刚获委任为中芯国际首席执行官的赵海军一起形成双首席执行官的局面，开启了中芯的双首长制时代。
联席CEO的模式，有点类似于2006年，台积电的“Two in a Box”，只不过这一次，梁孟松“in a box”，而不是被排除在外。
梁孟松接手中芯国际的时候，中芯国际在制程工艺上，如同他接手三星时一样，都在28nm制程向下发展的过程中，碰到无法解决的问题，同样举步维艰。
2016年2月份，中芯国际就宣布28nm制程进入设计定案阶段（tape-out），但良品率一直不稳定。
梁孟松来到中芯国际后，在其率领团队的努力下，用了不到一年的时间，就将中芯国际28nm制程良品率从3%提升至85%以上。
梁孟松选择了在三星时期的技术发展道路：跳代。中芯国际选择了跳过中间代次，直接发展14nm。
2018年8月，中芯国际宣布研制出14nm制程，首批带入的合作伙伴是华为、高通和复旦大学微电子，但是其14nm制程的良品率仅仅只有3%，完全是试验性质，根本不具任何投产条件。
在这一消息发布后，有行业内评论说：
“中芯宣称要做14nm、10nm，但恐是个遥不可及的美梦。”
的确，对于对自身技术积累远不如三星的中芯国际来说，一举跨过三代五级的代次，进而一步到位量产14nm制程来说，所面临的难度比之前三星的更大。
好在梁孟松信心十足，再一次力排众议，向董事会保证对14nm制程的改良能如期完成，成功说服中芯国际采纳其建议。
2019年6月，中芯国际14nm制程正式量产，良品率从3%巨幅提升至95%以上。同时推进的12nm制程也进入了客户导入阶段。
在这次爆出的辞职风波中，在梁孟松的公开函中表示：
“目前，28纳米、14纳米、12纳米及N+1等技术均已进入规模量产，7nm技术的开发也已经完成，明年四月就可以马上进入风险量产。5纳米和3纳米的最关键、也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开，只待EUV光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段。”
同时，在中芯国际的中报中也印证了梁孟松所说的：
“先进技术应用多样，第一代先进技术良率达业界量产水平，第二代进入小量试产。”
可以看出，梁孟松对于中芯国际先进工艺的研发至关重要。在2018年，格罗方德宣布放弃7nm研发；同年，联电宣布放弃12nm以下（即7nm及以下）的先进制程投资。除了台积电、英特尔和三星，还在继续在先进制程上投资的，就只剩下中国大陆的中芯国际了。
我们无从得知，蒋尚义的到来，梁孟松会如何选择，原本已经采取“双首长”制的中芯国际，在过去几年的运营中，分工也算是明确的了，在刚刚过去的第三季度业绩说明会上，成熟工艺相关提问均由赵海军回答，而先进工艺相关提问均由梁孟松回答。两位联席CEO在先进工艺、成熟工艺领域有着明确的分工。
那么，蒋尚义的到来，会对梁孟松再次产生什么样的影响呢？
顶“五个师”的恩怨
在台积电诉梁孟松的案件中，时任台积电法务副总经理暨法务长方淑华表示：
“就算（梁孟松）不主动泄漏台积电的技术机密，只要三星选择技术方向时，梁孟松提醒一下，这个方向你们不用走了，他们就可以少花很多物力、时间。”
梁孟松，恰好就是这样的人，自1999年Fin FET技术发明后，之后基于该技术的先进制程得到突飞猛进的发展，无论是台积电，还是美系企业如英特尔等，几乎所有的制程研发都转向了三维晶体管的方向上。
师承Fin FET技术发明者胡正明，在美国获得极大技术成就、在台积电成为最多发明人的梁孟松，他的一举一动，足以对这一技术的扩展，带来极大的作用。
他就是那种一个人、一个团队就可以影响到一个公司、一个行业发展趋势和市场竞争态势的人，他从台积电到三星，改变了全球晶圆代工产业的版图，他从三星到中芯国际，改变了中国大陆晶圆代工的版图及地位。
在今天这样的时代背景下，中国大陆的芯片制造（晶圆代工）技术的突破，显得尤为重要。在今年8月份，余承东就表示：
“华为在芯片里进行了巨大的研发投入，也经历了艰难的过程，但是很遗憾在半导体制造方面，华为没有参与重资产投入型的领域、重资金密集型的产业，只是做了芯片的设计，没搞芯片的制造。”
之后，任正非说，我们设计的先进芯片，国内的基础工业还造不出来，我们不可能又做产品，又去制造芯片**。就如我们缺粮，不能自己种稻子一样。**
从这个角度看，中芯国际的确承载了中国芯片制造太多的期盼，但是这个时候，出现这样的人事变动，对于技术中坚梁孟松来说，是不可接受的。
可是，如果在蒋尚义入主中芯国际板上钉钉的情况下，梁孟松是走是留呢？
我们不能希望中芯国际能做出什么样好的决策，毕竟2011年的内耗，已经让中芯国际失去了长达5年的追赶时间。
在仅有的几家芯片制造巨头中，还有谁能容纳下梁孟松这尊“大神”呢？
在函件中，梁孟松说：
“我来中国大陆本来就不是为了谋取高官厚禄，只是单纯的想为大陆的高端集成电路尽一份心力。”
这对于一个68岁的老人、博士、技术天才、科学家而言，背负“叛将”、“现代版三姓家奴”这样的骂名，在现代社会，是多么大的一个讽刺，然而他想要报效的国家，连个地位都无法保证，这不得不说，是更大的一个讽刺。
其实能打动梁孟松来到中芯国际的，除了对于技术的狂热，对于先进制程的追求，对于实现理想的抱负，可能最重要的就是这句充满“家国情怀”的话，毕竟，台积电是回不去的了，自己要发光发热，在这么大的年龄段，也许只有大陆，才是最好的归宿。
对了，多说一句，对于梁孟松与蒋尚义的关系，坊间的传闻并不像某些媒体报道的那样是“师徒”关系，**实际上，梁孟松本人一直承认的老师只有胡正明博士一个，以至于他与胡正明往来的邮件地址，都能够成为呈堂证供。**如果真要让蒋尚义与梁孟松搭上点“师承”关系，可能只能说蒋尚义与胡正明是台大电机系的同学，也许这也是多数人认为蒋尚义与梁孟松有“师徒”关系的原因之一。
但实际上，梁孟松1992年便到台积电工作，是台积电技术奠基人之一，蒋尚义的入职，则是1997年了。梁孟松比蒋尚义早进公司五年，从进入台积电时间前后的角度来看，梁孟松则真的是蒋尚义的“前辈”。
2009年梁孟松的离开与同年蒋尚义的回归，实际上是一个很大的分水岭，意味着两人以前在同一个公司内部的竞争，被放大到了两个公司间的竞争，再说直白一点，就是梁孟松带领的三星与蒋尚义带领的台积电的战争，这种对抗，直接影响到了整个产业的发展趋势。
而台积电对梁孟松发起的法律上的诉讼与技术上发起的攻坚，则被认为是在蒋尚义主导下对梁孟松全方位的打压和绞杀，对于身处“热战”中心的二人来说，这种仇怨，岂能轻易化解？