芯片行业，我们没底子吗？_风闻

【本文来自《有些人以原子弹作为芯片研发信心来源，但芯片从业人员是这么想的吗？》评论区，标题为小编添加】

　　作者看到几个负面的例子，就觉得别人“达到看不到问题的地步，就成了自负”。其实是作者自己达到看不到成就的地步，就成了自卑。

　　其实，中国在芯片产业上的最大难点不是设计，也不是代工，如中芯国际，而是集成电路制造装备，尤其是光刻机。另一方面，中国在集成电路制造装备并非一片空白，而是已经有了很强的基础。

　　中国对集成电路制造装备一直有规划，是国家重大科技专项中的02专项。

　　“十一五（2006-2010年）”的目标是：重点实现90纳米制造装备产品化，若干关键技术和元部件国产化；研究开发出65纳米制造装备样机；突破45纳米以下若干关键技术，攻克若干项极大规模集成电路制造核心技术、共性技术，初步建立我国集成电路制造产业创新体系。

　　“十二五（2011-2015年）”的目标是：重点进行45-22纳米关键制造装备攻关，开展22-14纳米前瞻性研究，形成65-45纳米装备、材料、工艺配套能力及集成电路制造产业链，进一步缩小与世界先进水平差距，装备和材料占国内市场的份额分别达到10%和20%，开拓国际市场。

　　“十三五（2016-2020年）”的目标是：攻克14纳米刻蚀设备、薄膜设备、掺杂设备等高端制造装备及零部件，突破28纳米浸没式光刻机及核心部件，研制300毫米硅片等关键材料，研发14纳米逻辑与存储芯片成套工艺及相应系统封测技术，开展7-5纳米关键技术研究，形成28—14纳米装备、材料、工艺、封测等较完整的产业链，整体创新能力进入世界先进行列。

　　由上可见，目标在不断提高。“十四五”的目标应该是制造7-5纳米芯片的装备了。

　　至于光刻机，长春光机所和国防科技大学成功研制了含有非球面光学元件的投影光刻曝光光学系统，极紫外EUV投影光刻机曝光光学系统也成功突破，获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。中国科学院光电研究院等已完成国内首台 “65纳米 ArF 步进扫描双工件台光刻机曝光光源”制造任务和 “45纳米以下浸没式曝光光源研制与小批量产品生产能力建设”任务。清华大学已经可以生产90纳米光刻需要的双工件台，28至65纳米的双工件台也已研制成功。浙江大学研制出浸液控制系统样机。总体来说，一两年内有望国产化能加工28纳米芯片的光刻机。

　　所以，作者的观点 “芯片行业，我们没底子” 是错误的。