中国芯片制造为何在改开时代被拉开差距？_风闻
西方朔-2020-09-04 15:14
中国芯片制造为何在改开时代被拉开差距？
1. 80年代“芯片项目下马”或“光刻机下马”，这是绝对的胡扯，谁信就是上当了。
改开后各时期中国光刻机都在研发，技术被拉开差距，主要原因基础科研能力不足，摩尔定律跟不上。
2. 1974-1978年甘肃平凉的电子工业部45所开发了“半自动光刻机”GK-3型（图），制程是5微米。自动送片，预对准精度0.3毫米，自动曝光收片，光源与工作台组成一个机器。
半自动是说，需要人看显微镜来微调对准。对准，是光刻机最大的问题之一，光刻机的英文名就是Mask Aligner。
3. 80年代不少单位都来搞光刻机了。45所仍然是主力，开发出了分布曝光的BG101（1979-1984年研发，2微米），后面BG101J（1991-1994，1.5微米）、BG102（1990-1995，0.8微米）、BG105（1996-2000，0.5微米），都按节奏研发出来了。
4. 80年代还有，中科院半导体所1978-1981年研制的JK-1型接近式光刻机，2.5微米；1982年科学院109厂与哈尔滨刃具厂阿城继电器厂联合研制的KHA75-1型接近式光刻机；上海光机所1985年的3微米扫描式投影光刻机。这些全都是半自动的，都需要人看显微镜微调，所以基本是2-5微米的水平。
5. 中科院光电所1990年验收的IOE1010G光刻机，结合上海光机所扫描与45所分步两种技术的优点，1.5-2微米。它还是中国第一个全自动光刻机，用电视图像算法自动对准。后面BG101J也做了，90年代中国的光刻机才算是全自动了。
6. 2000年以后，45所搞光刻机的人转到上海微电子装备SMEE去搞，02专项。45所继续搞集成电路制造其余装备的开发。SMEE的光刻机目前最新的是90nm（0.09微米），据说2021年出28nm的，但没有官方消息。
7. 改开后，有不少单位在搞光刻机，绝对没有中断研发的事，应该说投入比改开前大多了。这也不是多难的决策，看清楚芯片业与芯片制造装备的意义并不难。
8. 但可以看出，中国光刻机技术进步不是太大。相比外国，中国光刻机陷入了在低水平小幅改进的困境，拿个电视图像开发个图像对准算法就是升级。从技术上来说，这主要是基础科研能力的跟不上，先进光源搞不定、对准系统精度上不去、各种子系统能力严重不足。种种原因，在2000年以后，就没有跟上业界主流的193nm的DUV光源+浸润式光刻等先进技术不断提高制程的过程，更不要说EUV光源13.5nm的国际最顶尖技术了。
9. 也就是说，国外芯片制造在按摩尔定律发展，而中国在早期还能跟上，差距5-7年之类的。随着倍数越翻越高，对基础科研的能力要求越来越高，中国就跟不上了。这不是改开后放弃了，而是技术规律。绝大多数技术，外国是线性或者停滞发展，改开以后中国技术追超成效非常好。
10. 现在中国基础科研相对能力比改开初期要强不少了，所以连光刻机芯片制造都可以追回来，就是要的时间会比其它任务长。收起全文d
