事实上，探索光刻光源国产化过程中，中国多家科研院所和厂商进行了不少另辟蹊径的探索_风闻

事实上，除了LPP-EUV光源，探索光刻光源国产化过程中，以中国科学院、华中科技大学为代表的多家科研院所和半导体厂商亦进行了不少另辟蹊径的探索。

其中双激光束技术路线的出现，有效规避了国外专利封锁和主流EUV光源研发难题，让光刻机光源突破光学衍射极限成为可能，不用刻意追求短波长也能达到10nm以内的光刻制程。

7月初，中科院研究团队就在Nano Letters上发表题为《超分辨率激光光刻技术制备5nm间隙电极和阵列》的论文[3]。实验室环境下，研究团队在无机钛膜光刻胶上，采用双激光束（波长为405nm）交叠技术，实现1/55衍射极限的突破（NA=0.9），达到了最小5nm特征线宽，一时引发热议。

同样，在中国光谷，武汉光电国家研究中心相关团队早在2018年就发布专利[4]，提出一种双光束微纳光学制造方法，通过调制辅助光，搭配自研光刻胶，使可见光制造实现10纳米以下的特征尺寸和50纳米的分辨率。

目前，该技术正依托武汉光电工研院进行产业化，团队基于双光束超分辨纳米光刻技术已经实现了最小线宽9nm、最小线间距52nm的高精度直写光刻，9nm双光束超分辨直写光刻机已实现商用销售。

双光束超分辨投影光刻实验样机也于2019年完成测试，正在开展大型工程样机的研发，快速推进产业化进程。相关研究机构认为，在这样的格局下，实现光刻机国产化势在必行。而当前国内与国外顶尖光刻机制程存在较大差距，短时间采取举国体制仍无法突破EUV路线衍射极限限制，在此背景下，基于双光束技术的超分辨技术路线的开辟，或将为光刻机国产替代带来曙光。

“通过上游并购和引入客户作股东的方式打通行业上下游，打造产业链利益共同体，ASML从默默无闻成长为光刻机霸主，我们也本着开放心态广邀各方开展技术合作，希望能趟出一条不一样的光源国产化路线。”相关研究机构认为，在这样的格局下，实现光刻机国产化势在必行。而当前国内与国外顶尖光刻机制程存在较大差距，短时间采取举国体制仍无法突破EUV路线衍射极限限制，在此背景下，基于双光束技术的超分辨技术路线的开辟，或将为光刻机国产替代带来曙光2018年9月5日至8日，第20届中国国际光电博览会(CIOE2018)在深圳会展中心举办。武汉光电国家研究中心、武汉光电工研院联合参展，并于9月6日在光电子创新馆（4号馆）4E06展位举办“源头创新技术和科技成果转化项目发布会”。

华中科技大学副校长张新亮，武汉光电国家研究中心副主任周军、朱莅临展位视察指导工作。制造芯片的光刻机，其精度决定了芯片性能的上限，然而作为芯片消费第一大国，我国在光刻技术方面远远落后于国外，如何开发具有自主知识产权的光刻机，向来是集成电路光刻制造领域的焦点话题。

由武汉光电国家研究中心甘棕松教授团队带来的“超衍射极限纳米光刻技术”甫一亮相，立即引来广泛关注。该团队具有自主知识产权的首台商用化超分辨光刻设备——Super Lithography 3D纳米光刻系统提供纳米级高精度的无掩膜光刻和纳米级3D微纳结构打印，配合定制的软件系统，可以智能完成高精度光刻掩膜的制造和其它纳米级3D器件的激光直写光刻，打破了国外企业在三维微纳加工技术的垄断====双光束超分辨投影光刻实验样机也于2019年完成测试，正在开展大型工程样机的研发，快速推进产业化进程。

注意，目前只有投影光刻机才能实现芯片的大规模量产，直写的，电子束的目前还做不到。

【本评论由风闻社区捞取，来自《科工力量：凭借一国之力能搞出光刻机吗？》一文，仅代表发帖用户观点，标题为小编添加，更多热乎讨论请移步原文】