长鑫存储宣布成为DRAM内存生产商，国内首家

（观察者网讯 文/吕栋 编辑/尹哲）

据电子工程专辑（EETimes）12月3日报道，合肥长鑫存储近日宣布，已成为国内第一家也是唯一一家DRAM（动态随机存储器）生产商。

在接受上述媒体专访时，长鑫存储的代表透露，该公司已经完成合肥Fab 1及研发设施建设，目前月产能2万片，并计划在2020年第二季度将产能提高一倍，达到每月4万片，约占全球内存产能的3%。

DRAM是最常见的系统内存，也是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。

观察者网查询发现，在该领域领域，三星、SK海力士、美光的全球市场份额合计接近95%。与此同时，这三家企业掌控着诸多DRAM技术专利。

而以长鑫存储为代表的中国存储芯片企业正应对挑战，该公司一直在从韩国和台湾地区招募工程师，并“挖角”德国奇梦达（Qimonda），以建立DRAM相关人才储备。

另外，知识产权问题也日益受到重视。不久前，长鑫存储通过加拿大知识产权公司WiLAN获得大量来源于英飞凌的DRAM技术专利的实施许可。

报道截图

据报道，除上述项目之外，长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂以及一些基础设施，为3000名员工及其家人提供住房。

今年9月20日，长鑫存储宣布：总投资约1500亿元的内存芯片自主制造项目正式投产。其与国际主流DRAM同步的10nm级第一代8Gb DDR4也首度亮相 。

不过，前述报道认为，目前中国进入国际DRAM市场的难度依然很大：一方面生产经验与专业知识欠缺，另一方面是知识产权积累上存在短板。

DRAMeXchange数据显示，在DRAM领域，今年三季度，三星、SK海力士、美光的全球市场份额合计接近95%，更重要的是，这三家企业同时掌控着诸多DRAM技术专利。

而以长鑫存储为代表的中国存储芯片企业正积极应对挑战，该公司一名业务发展总监在接受上述媒体采访时表示，长鑫存储3000名员工中，70%是工程师和技术人员。

此外，长鑫存储一直在从韩国和中国台湾地区招募工程师，并“挖角”一度是全球第二大DRAM制造商的德国奇梦达（Qimonda），以建立DRAM相关人才储备。

例如，奇梦达原副总裁屈斯特尔斯（Karl Heinz Kuesters）已成为长鑫存储顾问，他在奇梦达及其母公司英飞凌工作了24年，负责技术和前期开发。

长鑫存储厂房效果图 图自长鑫存储

事实上，DRAM技术有沟槽式（Trench Dram）和堆栈式（Stack Dram）两种，后者技术竞争力相对较好，但是由于早期市场原因，该技术被搁浅，奇梦达也于2009年破产。

之后，长鑫通过授权获得奇梦达的堆栈式相关技术，借助从全球招揽的人才和制造装备，开始使用堆栈电容工艺技术进行生产，并把奇梦达的46nm工艺平稳推进到了10nm。

报道引述Object Analysis首席分析师汉迪（Jim Handy）评论称，“长鑫存储拥有比大多数人预期的中国DRAM制造商更高的专业水平”。

“（长鑫）基本是奇梦达在中国的设计中心，因此他们能够使用奇梦达的知识产权。这让他们比中国其他DRAM和闪存芯片（NAND）的新兴制造商处于更有利的位置。”汉迪表示。

12月5日，长鑫存储在官方微信公号宣布，通过加拿大知识产权公司WiLAN获得大量来源于奇梦达母公司英飞凌的动态随机存取存储芯片（DRAM）技术专利的实施许可。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示：“两份协议标志着，在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障DRAM业务运营方面，长鑫存储采取了新举措。”

另外，朱一明今年5月披露，长鑫存储已从奇梦达获得部分技术来源。与后者的合作使长鑫存储获得一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据，成为公司最初的技术来源之一。

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