10年投资8000亿？紫光集团将加速自主研发DRAM

（观察者网讯）

18日消息，台湾《经济日报》近日报道，紫光集团DRAM 事业群CEO高启全日前返台过中秋节时接受采访表示，紫光集团决定自主研发DRAM，且大基金和重庆产业基金都会投资，初期研发中心将设在武汉，待研发有了成果才会在重庆设厂生产。

高启全强调，人才是最大的挑战。他坦承正建立研发团队，希望五到十年能看到研发成果。但他不愿透露太多细节，包括新公司何时成立、研发阵容和投资金额等。不过近期他积极奔走日本、韩国和台湾地区等地，似乎在招揽人才。

高启全表示，紫光集团未来投入DRAM领域，也会走先前开发储存型闪存（NAND Flash）自主研发模式，只是投入DRAM领域，目前相关制程专利都掌控在三星、SK海力士和美光等三大厂手中，紫光集团要技术自主，需要投入更多的人力和时间。

他表示，目前韩国和美国都不愿将技术授权给中国大陆厂商，而且贸易摩擦还在继续，美光也不会和紫光结盟，因此中国要规避三大厂的专利，不是短时间可以达成的，得靠汇集更多优秀人才，希望五到十年能看到成果。

赛迪智库《2018年全球集成电路产品贸易研究报告》发布的数据显示，2018年中国大陆进口集成电路金额高达3120.6亿美元，已远超石油进口额，成为中国进口金额最大的商品，其中存储器占集成电路进口金额的39%，达到1230.6亿美元。

虽然存储器是中国集成电路产业的短板，但也是国家大力推进的重点领域。

据观察者网此前报道，今年8月27日，重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。其中，DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。

此外，据《经济日报》报道，有消息人士透露，在政府支持下，紫光集团积极发力DRAM自主生产，内部已计划未来十年投资高达人民币8000亿元，全力推动并积极冲刺DRAM量产。

南亚科和集邦科技等业界和机构则分析称，紫光集团虽早有旗下 IC 设计公司紫光国微具有 DRAM 相关产品的研发实力，但制程开发上仍未有合作对象，如果自主开发，至少需要三到五年时间。