国家存储器基地项目进展顺利，量产目标有望实现

转自中新网

日前，上海宝冶安装工程公司施工承建的国家存储器一期二阶段中低压配电系统工程第一批中压柜与一期供电系统并网，成功受电20kV，为后续设备的高、低压供配电及系统调试奠定基础，终端机台即将投入使用。

为了确保车间正常生产，保障供电系统的连续性和稳定性，此次并网施工的断电施工调试时间不足24小时。上海宝冶安装工程公司要在6天完成36台中压柜的安装调试，与一期供电系统并网供电。面对工期紧、任务重、技术要求高等困难，项目部统筹策划，提前完成勘测现场、熟悉设备、确定方案等工序，并发挥多年来电气盘柜“预安装”的施工工法技术，在并网施工前，已将盘柜断路器耐压、分合闸等试验做完，待设备就位母排连接完成、耐压试验合格即刻并网受电，一次成功。

国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其它若干配套建筑。国家存储器基地的建立，以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，标志着芯片自主创新之路迈出可靠而重要的一步。