三星计划在9月4日展示3nm GAA工艺最新进展

转自天极网

日本在6月4日宣布，管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢三种用于半导体制造的原材料，让韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机。日本管制的三种主要材料中，用户制造光科技光源的氟化氢影响最大，对三星晶圆代工、存储芯片生产都有致命影响，甚至出现了三星因得不到供应停止研发7nm EUV工艺的开发。

三星似乎有意证明，他们有能力原材料限制的困境。虽然韩媒有消息称，三星将取消9月4日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”活动，但三星方面明确表示该活动将如期进行。

三星最近几年，每年都会举行多场“三星晶圆代工论坛”(SFF)，9月4日在日本举行专场的重点是三星正在开发的3nm GAA环绕栅极工艺。这种工艺将会应用于3nm节点的产品中，是5nm节点后又一重要节点。

三星3nm工艺将会基于全新的GAA晶体管结构，通过使用纳米片设备制造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，显著增强晶体管性能，取代FinFET成为晶体管技术。而且MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

三星是目前唯一一家公布具体3nm节点技术路线的公司;英特尔现在只提到7nm工艺，5nm何时上马尚未定论，更别说3nm工艺;台积电虽然计划投资250亿美元建设3nm晶圆厂，但台积电同样没有公布3nm工艺的技术路线，是否使用全新设计的晶体管也无从知晓。

三星自信会在3nm节点上领先其他对手，最快在2021年量产3nm GAA工艺。