三星电子：不会人为减产存储芯片

三星电子7月31日将举行第二季度（4月~6月）电话会议，有消息称，三星电子不会像SK海力士一样宣布减产存储芯片。

据韩国《中央日报》7月30日报道，三星电子相关人士7月29日表示，“目前并未听到关于人为减产的计划”，“电话会议上也不会有大的变化”。对于台湾媒体“DIGITIMES”最近报道“三星电子将把NAND闪存半导体价格上调10%”的消息，三星电子方面也回应称“并非事实”。

据了解，海力士宣布进一步减产存储芯片后，市场一直关注着三星电子的电话会议。韩媒称，三星电子不会提到诸如SK海力士宣布的“减少晶圆用量”等意味着直接减产的说法。

在此之前，美国的美光曾决定对DRAM和NAND闪存分别减产5%，并在6月份决定将NAND闪存的减产量扩大到10%。

预计三星电子将宣布对生产流水线进行效率化调整，而不是直接宣布减产。因为对半导体生产流水线的设置进行最优化重新调整，自然就会出现一定程度的减产。

报道称，日本政府限制三种材料（蚀刻气体、光刻胶、含氟聚酰亚胺）对韩出口后，由于投机性需求等增加带动上升的半导体价格最近已经重回稳定。市场研究机构DRAMeXchange的数据显示，7月29日，DDR4 8Gb的DRAM现货价格为3.64美元，比上周下降了2.6%。

Eugene投资证券公司研究员李胜宇(音)表示，“DRAM现货价格在过去两周上升了20%以上，交易量却没有同时上升”，“预计明年1月Window 7安全服务停止后，企业用电脑升级和数据中心企业的需求将会出现恢复趋势，存储芯片需求将挺过最困难的阶段”。也就是说，虽然投机性需求带来的DRAM价格泡沫已经破灭，但半导体景气很快就可以真正恢复。