SK海力士在华扩张DRAM生产线

（观察者网讯）

据韩国《中央日报》4月19日消息，SK海力士4月18日发布称在中国无锡举行了DRAM流水线C2F的竣工仪式。C2F在原有DRAM半导体流水线（C2）的基础上进行扩建，建筑面积达到5.8万平方米。

图自韩媒

在以“芯的飞跃、芯的未来”为主题的当日竣工仪式上，无锡市委书记李小敏、江苏省副省长郭元强、韩国驻上海总领事崔泳杉、SK海力士公司总裁李锡熙和合作商总裁等500人出席了活动。

SK海力士2004年与中国江苏省无锡市签署建厂协议，从2006年开始生产DRAM。当时建成的C2流水线是SK海力士的第一个300毫米晶片工厂(FAB)，为SK海力士的发展起到了重大作用。FAB是半导体工厂的通称。

随着半导体工程的精细化发展，工程程序日益复杂，设备也日益大型化，工厂空间开始拥挤，于是SK海力士从2017年6月开始投资扩建半导体生产厂房(无尘车间)，截至本月共投入了9500亿韩元。SK海力士负责无锡工厂的姜英秀(音)专务表示，“C2F的竣工使无锡工厂拥有了中长期竞争力”，“C2F将与现在的C2工厂一同运转，最大限度扩大无锡工厂的生产和运转效率”。

一位业界相关人士表示，“这次扩建将无锡工厂的DRAM产能从原来的12万张晶片提高到了18万张”，“中国工厂产能占SK海力士DRAM总产能的比例也将提高到40~50%”。