三星和SK海力士重金投资研发 投资额创新高

（观察者网讯）据韩联社4月2日报道，全球内存芯片巨头三星及SK海力士（SK hynix）去年研发支出创新高，希望在全球芯片市场低迷之际能保持稳定，守住领先地位并开发新兴技术。

三星电子2日表示，去年研发支出比一年前增加11%至18.7万亿韩元（约合人民币1109亿元），相当于全年销售额的7.7%，为2003年以来最高水平。

三星在报告中指出，以先进制程量产划时代的智能手机闪存芯片、动态随机存取内存（DRAM）及固态硬盘（SSD），是其砸重金研发的成果。去年三星表示，为了保护公司半导体技术的知识产权，去年分别在韩国及美国各取得2055及6062项专利。

全球第二大内存制造厂SK海力士则表示，去年研发投资年增16.4%至2.9兆韩元（约合人民币172亿元），等于已连续三年高于2万亿韩元。

SK海力士还表示，其研发工作聚焦在DRAM及NAND闪存解决方案以及新产品和新兴技术，以维持增长动能并寻找新商机。SK海力士的报告显示，公司半导体技术截至去年12月已取得12786项专利。

报道指出，韩国科技巨头持续提高投资额，借此保住市场龙头地位，想要拉大与中国新兴芯片制造商的距离；同时在全球芯片价格下跌之际，开发新技术进军半导体以外的市场。