EUV之战：台积电将持续领先_风闻

台积电在前不久的投资者会议中，强调其是首个把EUV技术商业化的芯片制造商，不仅N7+(7nm+)已经成功量产，而产能也迅速扩展，目前已经有多个客户的产品都已经瘥生产中。

那么三星呢？虽然该公司早在今年初就已经宣称其成功量产7nm EUV制程，但实际上，其低劣的生产良率，首批产品只有自家的Exynos 9825，芯片架构完全沿用自9820，代表其仅是作为试产的测试芯片，而非最终量产。因此业界分析师也并不认可三星的量产时程定义。

前阵子高通在三星投晶圆代工订单也并不顺利，由于高通下一代5G芯片将使用其7nm EUV制程，但却传出制造失败导致已生产芯片报废的传闻，虽然三星第一时间否认，但已经让市场对三星的说法再度投下不信任票。

高通为了确保最大客户，已经下的7nm EUV芯片代工订单应该不会有改变，但根据市场信息，未来5nm将会回到台积电手中，毕竟在5nm制程的时程上，台积电仍要比三星快了不只一步，而不只是时程，更重要的是台积电给客户的承诺更可靠，当宣布量产，便是以真正可以量产的良率来承诺客户，而不是以首颗芯片生产时间来定。

而三星在良率堪忧，产能不足以满足客户的情况下，也紧急向ASML订购了15部机台，且多数都是新的3400C机台，较旧款的3400B机台产能可以提升40%，这让

当然，目前7nm EUV制程才刚起步，产能有限，为了满足更多客户需求，台积电也紧急增加更多资本支出，用以投资厂房设备的建置，而由于EUV机台可以沿用至未来5nm至4nm，所以这些投资并不会白费。

而目前最大的7nm EUV客户应该就是苹果与AMD，二者的终端销售需求极大，对晶圆代工的产能需求也高。而华为麒麟990芯片虽然是第一个使用EUV制程的芯片，但是在预期市场需求衰退的情况下，未来对台积电产能的占比将会明显下滑。

目前7nm EUV制程，也就是台积电的N7+制程，将会延续，并衍生出一个6nm制程节点，借以达成在成本与密度更好的均衡性。

当下7nm EUV使用了3层EUV光罩，未来6nm将会增加到4层，而紧接着要在2020年初量产的5nm，EUV光罩层数将会增加至12层到14层左右，这可以大幅增加未来芯片的晶体管密度。

三星的7nm EUV的光罩层数虽然和台积电大致相同，但是到5nm将可能因为技术限制，而只能做到10层的光罩，这也使得晶体管密度可能会有最高达40%的落差，几乎不可能追赶上。

三星目前将布局重点摆在未来的3nm，除了芯片鳍片的设计采用更积极的改革，也尝试更多新材料的导入。不过三星曾期望以7nm EUV来对抗台积电的4重显影DUV 7nm，希望能实现弯道超车，但三星忽略了客户的需求，以及台积电的技术进展惊人，4重显影DUV之后台积电马上就量产7nm EUV，让三星几乎没有招架之力，若非高通还寄望三星的手机芯片生意，以及IBM和三星之间的关系，可能其7nm代工业务基本落空。

而期望在3nm的弯道超车，是否会复制7nm的状况？这我们不得而知，但曾经喊出或期望弯道超车的市场或者是业者，基本上都没有什么好结局。

但无论如何，三星的落后之势恐怕在3nm真正量产前还看不到扭转的机会。

另一个晶圆制造大厂，也就是英特尔，其10nm的晶体管密度基本已经达到台积电/三星的7nm EUV水平，而其使用的制程仅仅只是和台积电类似的多重显影DUV技术，而其未来的7nm才会真正引入EUV技术，借以实现更高的晶体管密度，但根据市场预测，英特尔的7nm技术能实现的晶体管密度可能和三星的5nm大同小异，而同样会落后于台积电的5nm。

台积电的制程优势仍将持续，未来的三五年内恐怕三星和英特尔都只能在背后苦苦追赶。而影响所至，三星的晶圆代工业务仍只能走低价揽客策略，无法有效提高产品价值，而英特尔的处理器业务，恐怕也会被AMD更加紧迫盯人，不只在消费市场，连服务器和超算市场都会威胁到英特尔的市场霸主地位。